[发明专利]用于制备经涂覆基材的方法有效
申请号: | 201380019895.7 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN104204287B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | E.米蒙;M.比莱内 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;C21D1/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 黄念,林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 经涂覆 基材 方法 | ||
1.用于获得一种基材的方法,在该基材的至少一面的至少一部分上提供有涂层,其特征在于,该方法包括在所述基材上沉积所述涂层的步骤,然后使用以至少一根激光线的形式聚焦在所述涂层上的脉冲或者连续激光辐射来热处理所述涂层的步骤,该激光辐射的波长在400-1500nm范围内,所述热处理使得在基材和该激光线之间产生其速度为至少3米/分钟的相对位移运动,该激光线具有最多3mm.mrad的并在使该激光线聚焦在所述涂层上的位置进行测量的光束参数积BPP,至少200W/cm的除以占空比的平方根的线功率密度,至少20毫米的长度,和沿着该激光线的宽度分布,该宽度分布使得平均宽度为至少30微米并且在最大宽度和最小宽度之间的差值为平均宽度值的最多15%。
2.根据权利要求1的方法,其中所述基材是基本上水平的并在传送带上面对该激光线进行移动,该激光线是固定的并且基本上垂直于该移动方向进行设置。
3.根据前述权利要求1的方法,其中该激光线的辐射波长在800至1100nm的范围内。
4.根据前述权利要求1的方法,其中激光辐射是连续的。
5.根据前述权利要求1的方法,其中除以占空比的平方根的线功率密度为至少400W/cm。
6.根据前述权利要求1的方法,其中该激光线的平均宽度为至少35微米。
7.根据前述权利要求1的方法,其中该激光线的长度为至少20cm。
8.根据前述权利要求1的方法,其中除以占空比的平方根的提供给该涂层的能量密度为至少20 J/cm2。
9.根据前述权利要求1的方法,其中该基材(1)由玻璃制成或者由有机聚合材料制成。
10.根据前述权利要求1的方法,其中该基材具有至少一个大于1m的维度。
11.根据前述权利要求1的方法,其中该涂层(2)包括至少一个选自金属层、氧化钛层和透明导电层的薄层。
12.根据前述权利要求1的方法,其中在该热处理期间由该涂层经受的温度为至少300℃。
13.根据前述权利要求1的方法,其中在该热处理期间,在该基材的与用所述至少一种激光辐射处理的面相反的面的温度不超过100℃。
14.根据前述权利要求6的方法,其中该激光线的平均宽度在40至70微米的范围内。
15.根据前述权利要求7的方法,其中该激光线的长度在30至60cm的范围内。
16.根据前述权利要求10的方法,其中该基材具有至少一个大于3m的维度。
17.根据前述权利要求11的方法,其中该金属层是基于银或者钼的金属层。
18.根据前述权利要求12的方法,其中在该热处理期间由该涂层经受的温度为至少400℃。
19.根据前述权利要求13的方法,其中在该热处理期间,在该基材的与用所述至少一种激光辐射处理的面相反的面的温度不超过50℃。
20.根据前述权利要求13的方法,其中在该热处理期间,在该基材的与用所述至少一种激光辐射处理的面相反的面的温度不超过30℃。
21.使用以至少一根激光线的形式聚焦在涂层上的脉冲或者连续激光辐射来热处理沉积在基材上的涂层的装置,其中该激光辐射的波长为400至1500nm,其特征在于,该装置包括:
- 一个或多个激光源以及能够产生至少一根激光线的成形和重定向的光学装置,该激光线在运行中能具有最多3mm.mrad的并在使该激光线聚焦在所述涂层上的位置进行测量的光束参数积BPP,至少200W/cm的除以占空比的平方根的线功率密度,至少20毫米的长度,和沿着该激光线的宽度分布,该宽度分布使得平均宽度为至少30微米并且在最大宽度和最小宽度之间的差值为平均宽度值的最多15%,和
- 在运行中能够在基材和该激光线之间产生其速度为至少3米/分钟的相对位移运动的位移工具。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国圣戈班玻璃厂,未经法国圣戈班玻璃厂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380019895.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:原子层沉积方法和装置
- 下一篇:具有等离子体限制间隙的处理配件
- 同类专利
- 专利分类