[发明专利]靶材及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及适合于形成磁记录介质中的软磁性膜等的靶材及其制造方法。

背景技术

近年来，作为提高磁记录介质的记录密度的方法，垂直磁记录方式被实用化。垂直磁记录方式是这样的方法：以易磁化轴沿着垂直介质面的方向取向的方式形成磁记录介质的磁性膜，即使提高记录密度，存储单元内的反磁场也小、记录再生特性的降低少，适于高记录密度。并且垂直磁记录方式方面开发出具有提高了记录灵敏度的磁记录膜、和软磁性膜的磁记录介质。

对于这样的磁记录介质的软磁性膜，要求具有高饱和磁通密度和非晶结构。作为软磁性膜的例子，利用了如下的合金膜，所述合金膜是向以饱和磁通密度大的Fe作为主要成分的Fe-Co合金中添加促进非晶化的元素而成的。

另一方面，对于这些合金膜也要求高耐腐蚀性。为了形成合金膜，提出了例如在Fe-Co合金中以10～20原子％含有选自Nb或Ta的一种或两种元素的软磁性膜用Fe-Co系靶材(参照专利文献1)。专利文献1中，Fe-Co系靶材是通过以成为靶材的组成分别混合纯度99.9％以上的纯金属粉末原料，然后将得到的混合粉末进行烧结来制造的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际申请第2009/104509号小册子

发明内容

发明要解决的问题

在溅射中，靶材暴露于由等离子体的放电下导致温度上升，因此在靶材背面进行间接的冷却。但是，为了提高生产率而以高功率进行溅射的情况下，有时由靶材背面的间接冷却的冷却能力不足，靶材温度到达300℃以上的高温。

在上述的专利文献1中公开的Fe-Co系靶材，通过在Fe和Co的粉末中添加Ta或Nb的单质的粉末，能够形成在高饱和磁通密度和非晶性的基础上还具有高耐腐蚀性的软磁性膜。因此，在容易控制成分的方面，使用了Fe-Co系靶材的方法是有用的技术。

但是，对该Fe-Co系靶材以高输入功率进行溅射时，确认了有时在溅射中靶材开裂而无法进行正常的溅射。

本发明是鉴于上述内容而做出的。在上述的状况之下，需要能够在以高输入功率进行溅射的情况下抑制开裂发生的靶材。

另外，在以高输入功率进行溅射的情况下，需要抑制靶材开裂的发生并稳定地形成磁记录介质的软磁性膜的靶材的制造方法。

用于解决问题的方案

根据本发明人的研究，针对上述专利文献1中公开的Fe-Co系靶材，得到下述见解。即，

在Fe-Co系靶材的显微组织中，大量且粗大地形成了高浓度地包含Ta/Nb的脆的金属间化合物。如此，因为该脆的金属间化合物的形成，在靶材的高功率溅射中由于热膨胀产生的应变会超过高温下的断裂弯曲应变，因此发生靶材的开裂。因此，本发明人为了使靶材在高温下的断裂弯曲应变提高，进行了各种研究，结果发现了适宜的组成和粉末组合物的烧结方法，从而完成本发明。

为了完成上述的课题的具体的方法如以下所述。即，第1发明是：

<1>一种靶材相关的发明，其中，原子比的组成式表示为(Fe_X-Co_100-X)_100-Y-M_Y(其中，M表示选自Ta和Nb中的至少一种元素，X、Y分别满足0≤X≤80、10≤Y≤30)，包含由不可避免的杂质构成的余量，并且300℃下的断裂弯曲应变为0.33％以上。

<2>在前述<1>中，就第1发明中所述的靶材而言，在靶材的截面观察到的金相组织中，优选的是在含有选自Ta和Nb中至少一者的金属间化合物相区域内描绘内切圆时的最大内切圆的直径为20μm以下的组织。

接着，第2发明是：