[发明专利]针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料有效
申请号: | 201380039967.4 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104704606B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | J·Y·孙;B·P·卡农戈;D·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针对 先进 元件 晶圆上 粒子 性能 化学 相容性 涂层 材料 | ||
1.一种用于半导体处理腔室的制品,所述制品包含:
Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体;以及
所述主体上的陶瓷涂层,所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成,包含化合物,所述化合物包含自50摩尔%至75摩尔%的范围内的Y2O3、自10摩尔%至30摩尔%的范围内的ZrO2及自10摩尔%至30摩尔%的范围内的Al2O3,其中每英寸节结的数目在自30个节结至45个节结的范围内且孔隙率在自2.5%至3.2%的范围内。
2.如权利要求1所述的制品,其特征在于,粗糙度自220微英寸至250微英寸。
3.如权利要求1所述的制品,其特征在于,在所述主体的前侧及所述主体的后侧上的所述陶瓷涂层比在所述主体的外径上的所述陶瓷涂层更厚。
4.如权利要求1所述的制品,其特征在于,所述陶瓷涂层包含62.93摩尔%的Y2O3、23.13摩尔%的ZrO2及13.94摩尔%的Al2O3。
5.一种用于半导体处理腔室的制品,所述制品包含:
Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体;以及
所述主体上的陶瓷涂层,所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成,包含Y4Al2O9(YAM)的化合物及Y2-xZrxO3的固溶体,其中通过一种方法将所述陶瓷涂层涂覆于所述主体上,所述方法包含:
提供具有在90A至150A的范围内的等离子体电流的等离子体喷涂系统;
在距离所述主体60mm与120mm之间处安置所述等离子体喷涂系统的喷灯支架;
使得气体以80升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统;
将包含氧化钇的粉末馈送入所述等离子体喷涂系统中,其中所述粉末的大部分粒子具有环形,每个环形的粒子具有球体,在所述球体相对侧上具有深凹痕;以及
用陶瓷涂层等离子体喷涂所述制品,其中与其他形状的粉末粒子相比较,由所述具有环形的粒子形成的所述陶瓷涂层具有改良后的形态及降低的孔隙率,其中改良后的形态包括减少的节结。
6.如权利要求5所述的制品,其特征在于,所述气体以90升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统。
7.如权利要求5所述的制品,其特征在于,在所述主体的前侧及所述主体的后侧上的所述涂层比在所述制品的外径上的所述涂层更厚。
8.如权利要求5所述的制品,其特征在于,所述涂层的节结计数为每英寸30个节结至45个节结,所述涂层的粗糙度为220微英寸至250微英寸,以及所述涂层的横断面孔隙率为2.5%至3.2%。
9.一种在主体上涂布陶瓷涂层的方法,所述方法包含以下步骤:
提供具有在90A至150A的范围内的等离子体电流的等离子体喷涂系统;
在距离主体60mm与120mm之间处安置所述等离子体喷涂系统的喷灯支架;
使得气体以80升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统;
将包含氧化钇的粉末馈送入所述等离子体喷涂系统中,其中所述粉末的大部分粒子具有环形,每个环形的粒子具有球体,在所述球体相对侧上具有深凹痕;以及
用陶瓷涂层等离子体喷涂所述主体,其中所述陶瓷涂层包含Y4Al2O9(YAM)的化合物及Y2-xZrxO3的固溶体,其中与其他形状的粉末粒子相比较,由所述具有环形的粒子形成的所述陶瓷涂层具有改良后的形态及降低的孔隙率,其中改良后的形态包括减少的节结。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述气体以90升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造