[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380052050.8 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104704609B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 河田泰之;米泽喜幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,孙昌浩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
生长工序，在第一温度下通过化学气相沉积使碳化硅单晶膜在碳化硅半导体基板上生长；
第一冷却工序，所述生长工序后，在含碳气体气氛下，将所述碳化硅半导体基板冷却，直到从所述第一温度变为比所述第一温度低的第二温度；
第二冷却工序，所述第一冷却工序后，在氢气气氛下，将所述碳化硅半导体基板冷却，直到变为比所述第二温度低的第三温度。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一冷却工序是在含碳及氯的气体气氛下进行的。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一冷却工序是在向氢气中添加含碳及氯的气体而得的混合气体气氛下进行的。
4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述混合气体气氛以相对于所述氢气为0.1％～0.3％的比例添加有所述含碳气体。
5.根据权利要求3所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述混合气体气氛以相对于所述氢气为0.5％～1.0％的比例添加有所述含氯气体。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二冷却工序中，使存在于所述碳化硅单晶膜中的Z1/2中心的密度为6.7×1012cm-3，使存在于所述碳化硅单晶膜中的EH6/7中心的密度为2.7×1012cm-3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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