[发明专利]用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱

权利要求书

1.一种集成微电子器件，包括：

衬底；

第一晶体管，其包括从所述衬底延伸出来的非平面半导体鳍状物，所述非平面半导体鳍状物具有设置在所述非平面半导体鳍状物的有源区与所述衬底之间的子鳍状物区，其中，所述子鳍状物区还包括接近所述衬底的下层子鳍状物区和接近所述有源区的上层子鳍状物区；

第一杂质源膜，其被设置为与所述下层子鳍状物区的侧壁表面相邻，并且所述上层子鳍状物区不存在所述第一杂质源膜，其中，所述第一杂质源膜包括存在于所述下层子鳍状物区中的杂质；以及

栅极叠置体，其被设置为与所述有源区的侧壁表面相邻。

2.根据权利要求1所述的集成微电子器件，还包括设置在所述第一杂质源膜之上并且与所述上层子鳍状物区的侧壁表面相邻的电介质，其中，隔离电介质大体上没有存在于所述第一杂质源膜中的所述杂质。

3.根据权利要求1所述的集成微电子器件，还包括：

第二杂质源膜，其包括第二杂质并且设置在所述第一杂质源膜之上并且与所述上层子鳍状物区的侧壁表面相邻，其中，所述上层子鳍状物区被掺杂有所述第二杂质以具有与所述下层子鳍状物区的导电类型互补的导电类型。

4.根据权利要求1所述的集成微电子器件，还包括：

第二杂质源膜，其包括第二杂质并且设置在所述第一杂质源膜之上并且与所述上层子鳍状物区的侧壁表面相邻，其中，所述上层子鳍状物区被掺杂有所述第二杂质以具有与所述下层子鳍状物区的导电类型互补的导电类型；以及

第二晶体管，其包括从所述衬底延伸出来的第二非平面半导体鳍状物，所述第二非平面半导体鳍状物具有设置在所述第二非平面半导体鳍状物的第二有源区与所述衬底之间的第二子鳍状物区，其中，所述第二子鳍状物区还包括接近所述衬底的第二下层子鳍状物区和接近所述第二有源区的第二上层子鳍状物区，其中，所述第一杂质源膜还被设置为与所述第二下层子鳍状物区的侧壁表面相邻，并且所述第二上层子鳍状物区不存在所述第一杂质源膜，并且隔离电介质设置在所述第一杂质源膜之上并且与所述第二上层子鳍状物区的侧壁表面相邻，其中，所沉积的所述隔离电介质大体上没有存在于所述第一杂质源膜或所述第二杂质源膜中的杂质。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的集成微电子器件，其中，所述下层子鳍状物区具有与所述上层子鳍状物区的杂质掺杂不同的杂质掺杂，并且其中，所述第一杂质源膜包括所述下层子鳍状物区的所述杂质。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的集成微电子器件，其中，所述下层子鳍状物区被掺杂有所述杂质以具有与所述衬底的导电类型互补的导电类型。

7.根据权利要求1-4中的任一项所述的集成微电子器件，其中，所述上层子鳍状物区具有与所述下层子鳍状物区和所述有源区两者都不同的杂质掺杂。

8.根据权利要求1-4中的任一项所述的集成微电子器件，其中，所述上层子鳍状物区具有与所述下层子鳍状物区互补的杂质掺杂。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的集成微电子器件，其中：

所述非平面半导体鳍状物具有小于20nm的横向宽度，所述非平面半导体鳍状物从所述衬底向上延伸20-150nm；

所述第一杂质源膜包括具有介于1nm与7nm之间的厚度的硅酸盐玻璃膜；以及

所述下层子鳍状物区具有介于10¹⁷cm^-3与10¹⁹cm^-3之间的掺杂剂浓度。