[发明专利]电子发射装置及电子发射显示器有效

专利信息
申请号: 201410024483.9 申请日: 2014-01-20
公开(公告)号: CN104795297B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 柳鹏;李德杰;张春海;周段亮;杜秉初;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J17/06 分类号: H01J17/06;H01J17/49
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电子 发射 装置 显示器
【权利要求书】:

1.一种电子发射装置,其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置,所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸,所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸,位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元,每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层,所述条行第一电极为一碳纳米管层,所述半导体层包括多个孔洞,所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞,对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。

2.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述每一电子发射单元中所述半导体层为一图案化的连续的结构。

3.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于,所述多个孔洞为多个盲孔,所述多个盲孔至少设置于所述半导体层靠近碳纳米管层的表面。

4.如权利要求3所述的电子发射装置,其特征在于,所述半导体层覆盖所述多个盲孔,对应盲孔位置处的碳纳米管层悬空设置。

5.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于,所述孔洞为通孔,所述通孔沿所述半导体层的厚度方向贯穿所述半导体层。

6.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述半导体层被所述孔洞分割成相互间隔的区块形成一不连续的结构。

7.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述碳纳米管层包括多个碳纳米管择优取向延伸,所述碳纳米管的延伸方向平行于所述半导体层的表面。

8.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述多个电子发射单元中的绝缘层相互连接形成一连续的层状结构。

9.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,述多个条形碳纳米管层与所述条形第二电极交叉设置形成多个电子发射单元,所述多个电子发射单元形成具有多行多列的阵列。

10.如权利要求9所述的电子发射装置,其特征在于,所述多个电子发射单元中的半导体层相互间隔形成多汗多列的阵列,且位于同一行的多个半导体层与同一条形碳纳米管层电连接,位于同一列的多个半导体层沿同一列条形第二电极排列。

11.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述孔洞的孔径为5纳米至50纳米。

12.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述碳纳米管层由纯碳纳米管组成。

13.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于,所述多个碳纳米管通过范德华力相互连接,相互接触形成一自支撑结构。

14.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述碳纳米管层包括碳纳米管膜、碳纳米管线或两者组合。

15.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于,所述碳纳米管层包括一单层碳纳米管膜或多个层叠设置的碳纳米管膜。

16.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于,所述碳纳米管层包括多个平行设置的碳纳米管线、多个交叉设置的碳纳米管线,所述多个交叉设置的碳纳米管线组成一网状结构。

17.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,进一步包括一电子收集层设置于每一电子发射模块中所述半导体层与所述绝缘层之间,所述电子收集层为一导电层。

18.如权利要求17所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子收集层为一石墨烯膜,所述石墨烯膜包括至少一层石墨烯。

19.如权利要求17所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子收集层为一碳纳米管层,所述碳纳米管层包括多个碳纳米管,该多个碳纳米管相互连接形成一导电网络。

20.一种电子发射显示器,其包括:一基板,一设置于基板表面的电子发射装置,一阳极结构,所述阳极结构包括一阳极以及一荧光粉层,所述电子发射装置与所述荧光粉层相对且间隔设置,其特征在于,所述电子发射装置采用上述权利要求1-18中任一一项所述的电子发射装置。

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