[发明专利]混色型掩膜开口缺陷的有机发光二极管显示屏修补方法在审
申请号: | 201410024719.9 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN104779264A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 高志豪;黄俊杰;彭军;蔡学明 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混色型掩膜 开口 缺陷 有机 发光二极管 显示屏 修补 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管,尤其涉及一种混色型掩膜开口缺陷的有机发光二极管显示屏修补方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)产品具有反应快、重量轻、厚度薄、构造简单等特点,可应用与电视、电脑、手机等各种电子产品的显示屏上。但是全彩化的OLED显示屏仍然存在一些技术难题需要解决,全彩工艺需要采用非常精细的掩膜和精确的对位技术,分别将红蓝绿不同颜色的发光材料蒸镀于不同的位置,形成红蓝绿子像素做为发光中心,红蓝绿三色为独立发光材料进行发光,然后调节三种颜色的混色比,显示出全彩色。全彩工艺的困难点在于发光材料的选择以及精细金属掩膜(FMM,Fine Metal Mask)的工艺。
图1中示出了正常金属掩膜的示意图,图1中的掩膜线条精密并且排列整齐,线条处即为防止蒸镀材料蒸镀到极板上的掩膜。但是这种精细的掩膜容易受到外来异物的影响,如尘埃,油脂,涂料等会使掩膜造成缺陷,如图2所示。如附图标记1所示的位置,外来异物造成掩膜线条的缺失,造成掩膜变形,这样对后续蒸镀红蓝绿有机发光材料带来影响,导致蒸镀材料无法蒸镀到正确的位置,相邻的不同颜色的子像素形成混色,会造成显示屏幕上的色差。目前急需一种技术简便有效地接近这个技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种混色型掩膜开口缺陷的有机发光二极管显示屏修补方法,能够简便有效地解决掩膜缺陷照成的蒸镀材料错位引起的显示色差问题,提升合格率。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种混色型掩膜开口缺陷的有机发光二极管显示屏修补方法,其特征在于,包括以下步骤:将具有不同颜色的显示区域的有机发光二极管显示屏放置于激光光源的照射范围之内,所述不同颜色的显示区域蒸镀有不同颜色的有机发光材料,且彼此之间具有预定开口,采用激光从有机发光二极管的顶部照射所述开口,将所述掩膜开口中不同颜色有机发光材料层重叠的部分去除。
其中,所述激光为准分子激光。
其中,所述激光的波长范围为50~300纳米。
其中,所述激光的波长范围为250纳米。
其中,所述激光的能量为20-30毫焦。
其中,还包括在激光照射之前,将有机发光二极管显示屏放置于激光维修机台,进行对焦位置的对准,使激光光源对准所述开口。
其中,,所述不同颜色有机发光材料层重叠包括红、蓝、绿中任意的组合。
其中,,所述显示屏从顶部往下依次包括TFT衬底;有效显示区;ITO阳极层;空穴注入层;空穴传输层;发光层;电子传输层;Ag/Mg阴极层;光导出层。
与现有技术相比,本发明提供的混色型掩膜开口缺陷的有机发光二极管显示屏修补方法的修补方法,能够有效解决蒸镀的发光材料错位造成显示色差问题,修补掩膜缺陷,并且工艺简单方便。
附图说明
图1:正常FMM的示意图。
图2:有缺陷的FMM的示意图。
图3:正常OLED显示屏的剖面结构示意图。
图4:有缺陷的OLED显示屏的剖面结构示意图。
图5:激光去除缺陷部分的示意图。
图6:去除缺陷之后的OLED显示屏的剖面结构示意图。
其中,附图标记说明如下:
1、TFT衬底;2、有效显示区(AA);3、ITO阳极层;4、空穴注入层(HIL1);5、空穴注入层(HIL2-1);6、空穴注入层(HIL2-2);7、空穴注入层(HIL2-3);8、空穴注入层(HIL3);9、空穴传输层(HTL);10-1、蓝光发光层(blue-EML);10-2、绿光发光层(green-EML);10-3、红光发光层(red-EML);11、电子传输层(ETL);12、13、Ag/Mg阴极层;14、光导出层;15、蓝光发光层与绿光发光层交叠的部分;16、去除蓝光发光层与绿光发光层交叠部分留下的空白区域;17、激光光源。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的