[发明专利]一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201410038117.9 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779456A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周明;申云;穆连和;顾理建 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 226634 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 半导体 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaAs衬底，以及在GaAs衬底上沉积n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其特征在于，
形成GaAs衬底的方法包括如下步骤：
(1)在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；
(2)对GaAs晶片加热的同时加压，加热至温度为860～890℃，加压至压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；
(3)停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压；卸压速度为0.3～0.5GPa／分钟；
(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。
2.如权利要求1所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，步骤(2)中加热速率为100℃／分钟，加压速率为0.1～0.2GPa／分钟。
3.如权利要求1所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，n型接触层为n型AlGaAs层。
4.如权利要求1所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，p型接触层为p型GaAs层。
5.如权利要求1所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，有源层为AlGaAs多量子阱。
6.如权利要求5所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，有源层为2-5个周期的AlxGa1-xN／AlyGa1-yN多量子阱，其中，阱的厚度为1-3nm，Al组分x＝0-0.5；垒的厚度为5-10nm，Al组分y＝0.2-0.7。
7.如权利要求1所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，p型电子阻挡层为p型AlGaAs层。
8.如权利要求1所述的N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，p型过渡层为p型AlGaAs过渡层。
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