[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410039983.X | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779359B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 山本良明;田中幸一郎;矶部敦生;大柄根大辅;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/02;H01L23/544;H01L21/683;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 柯广华,王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
具有多个薄膜晶体管的层；
连接到所述多个薄膜晶体管的半导体膜的源或漏电极，该源或漏电极形成于第一开口中；
连接到源或漏电极的布线，该布线在提供在薄膜晶体管之间的第二开口部分中；
衬底；和
提供在衬底上方的导电膜；
其中通过相互粘贴具有薄膜晶体管的层和衬底，使布线和导电膜通过多个位置相互电连接，以及
其中凸块在所述层上并且所述凸块与所述布线直接接触。
2.一种半导体器件，包括：
具有多个薄膜晶体管的层；
连接到所述多个薄膜晶体管的半导体膜的源或漏电极，该源或漏电极形成于第一开口中；
连接到源或漏电极的布线，该布线在提供在薄膜晶体管之间的多个第二开口中；
衬底；和
提供在衬底上方的导电膜；
其中通过相互粘贴具有薄膜晶体管的层和衬底，使布线和导电膜通过所述多个第二开口相互电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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