[发明专利]除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法

权利要求书

1.一种除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于包括在温度30-200℃、压力0～1.0MPa反应器中，在金属与含氮高分子树脂复合形成的催化剂体系存在条件下，以氢气为载气气流，通入多晶硅生产尾气，利用多晶硅生产尾气中的含氢卤硅烷气体与卤化氢发生反应，以使其转变为相应的卤硅烷并除去卤化氢的步骤；所述的含氮高分子树脂选自聚丙烯腈树脂、聚酰胺树脂或聚乙烯基吡啶树脂中的一种或多种；所述的金属选自铜、锌、锡、锑、铁、铝、金、银、钯、铑中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的催化剂体系中金属重量占比为0.1～10％，所述金属粒径在10nm-10μm之间。

3.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的含氮高分子树脂粒径在0.1-5mm之间。

4.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的金属选自铜、锌、锡、锑中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的反应温度在50-150℃、压力0.5-0.8MPa。

6.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的通入反应器的氢气载气与通入反应器多晶硅生产尾气的摩尔比为1～50:1。

7.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的通入反应器内多晶硅生产尾气与催化剂体系接触的停留时间为1～10s。

8.根据权利要求1所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的含氢卤硅烷通式为SiH_4-aX_a，其中X＝F、Cl、Br、I，a＝1～3，所述的卤化氢选自氟化氢、氯化氢、溴化氢或碘化氢。

9.根据权利要求8所述的除去多晶硅生产尾气中卤化氢的方法，其特征在于所述的含氢卤硅烷选自三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷中的一种或多种，所述的卤化氢选自氯化氢。