[发明专利]有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件有效
申请号: | 201410096344.7 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104051673B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 石川拓;林辉幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H05B33/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 器件 制造 方法 装置 以及 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件。
背景技术
近年来,正在开发利用了例如电致发光(EL:electro Luminescence)的有机EL元件。有机EL元件具有如下优点:与布劳恩(braun)管等相比消耗电力较少,并且,其为自身发光,与液晶显示器相比视角优异等。
另一方面,有机EL元件怕水。因此,当水分自有机EL元件的缺陷部浸入时,会导致发光亮度降低,或产生被称为黑点(dark spot)的不发光区域。因此,有时要在有机EL元件的表面形成例如具有抗透湿性的密封层。在该情况下,作为由对有机EL元件不会造成损伤的低温工艺形成且要求抗透湿性的密封层,有时使用例如氮化硅等无机层。
但是,担心以下情况:在上述密封层中,水分自电极焊盘的开口的侧面浸入,浸入后的水分使有机EL元件劣化而缩短寿命。
因此,还提出一种通过在有机EL元件之上层叠1层以上的中间层(平坦化层)和1层以上的阻挡层而成的多层密封层来密封有机EL元件的方法(例如,参照专利文献1。)。
专利文献1:日本特开2012-253036号公报
然而,在专利文献1中,为了进行中间层的成膜而需要掩模,并且,需要进行掩模与基板间的对位,因此存在使生产率降低且制造成本变高这样的问题。
发明内容
针对上述问题,本发明的一目的在于:能够在将成本抑制得较低且不降低生产率的情况下形成具有较高密封性能的密封构造的器件。
为了解决上述问题,一技术方案提供一种有机器件的制造方法,其特征在于,该有机器件的制造方法包括以下工序:输入工序,在该输入工序中,输入在第1密封层之上形成有中间层的基板,该第1密封层用于将一个或多个隔离壁部和阳极上的有机层密封;以及回蚀工序,在该回蚀工序中,对形成在上述基板上的中间层进行回蚀,执行上述回蚀工序,直至上述一个或多个隔离壁部中的至少一个隔离壁部上的第1密封层的至少一部分自上述中间层暴露到能够与在下一工序中成膜的第2密封层相接触的程度为止。
另外,为了解决上述问题,另一技术方案提供一种有机器件的制造装置,其特征在于,该有机器件的制造装置包括:第1成膜装置,其用于形成第1密封层,该第1密封层用于将在基板之上形成的一个或多个隔离壁部和在基板之上形成的阳极之上的有机层密封;第2成膜装置,其用于在上述第1密封层之上涂敷中间层;以及蚀刻装置,其用于对上述中间层进行回蚀,上述蚀刻装置对上述中间层进行回蚀,直至上述一个或多个隔离壁部中的至少一个隔离壁部上的第1密封层的至少一部分自上述中间层暴露到能够与在下一工序中成膜的第2密封层相接触的程度为止。
另外,为了解决上述问题,又一技术方案提供一种有机器件,其特征在于,在用于将一个或多个隔离壁部和阳极上的有机层密封的第1密封层之上,以使至少一个隔离壁部上的第1密封层的至少一部分暴露的方式形成中间层,上述中间层上的第2密封层以与自该中间层暴露出的上述第1密封层相接触的方式形成。
采用该技术方案,能够在将成本抑制得较低且不降低生产率的情况下形成具有较高密封性能的密封构造的器件。
附图说明
图1的(a)是一实施方式的有机器件的概略剖视图,图1的(b)是用于比较的有机器件的概略剖视图。
图2是一实施方式的有机器件的制造装置的整体结构图。
图3A是一实施方式的在形成有隔离壁部的基板上形成有机EL元件的图。
图3B是一实施方式的在设有有机EL元件的基板上形成第1密封层和中间层的图。
图3C是一实施方式的对中间层进行回蚀并形成第2密封层的图。
图3D是一实施方式的利用覆盖片覆盖有机EL元件和其周边并对电极焊盘部进行蚀刻而使其开口的图。
图4是一实施方式的隔离壁部的形成例。
图5是用于说明一实施方式的回流的作用的图。
图6是在一实施方式的变形例1中对中间层进行回蚀并形成第2密封层的图。
图7是一实施方式的变形例2中对中间层进行回蚀并形成第2密封层的图。
图8A是在一实施方式的变形例3中重复执行中间层的形成和回蚀的图。
图8B是在一实施方式的变形例3中在重复执行回蚀之后形成第2密封层的图。
图8C是在一实施方式的变形例3中利用覆盖片覆盖有机EL元件和其周边并对电极焊盘部进行蚀刻而使其开口的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择