[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

采用一次构图工艺对源极和漏极之间区域的栅极绝缘层进行部分刻蚀处理；

通过一次构图工艺形成有源层，所述有源层覆盖所述栅极绝缘层部分刻蚀区域；

通过一次构图工艺形成栅极图形，所述栅极图形覆盖栅极绝缘层部分刻蚀区域，及源极和漏极对应的栅极绝缘层区域；

其中，所述栅极图形和所述有源层位于栅极绝缘层不同侧，且所述源极和漏极与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度大于所述源极和漏极之间有源层与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用一次构图工艺对源极和漏极之间区域的栅绝缘层部分刻蚀，具体包括：

通过半曝光工艺对源极和漏极之间区域的栅绝缘层进行部分刻蚀处理，对栅极绝缘层的过孔区域进行全曝光处理，形成栅绝缘层过孔。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述栅极图形位于靠近衬底基板一侧时，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅极图形；

在形成栅极图形的基板上形成栅极绝缘层；

在栅绝缘层上形成有源层；

在有源层上形成源极、漏极、像素电极层；

在源极、漏极、像素电极层上分别形成钝化层和狭缝状公共电极层，所述像素电极与漏极电连接。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述栅极图形位于远离衬底基板一侧时，所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层；

在有源层上形成源极、漏极和像素电极层；

在源极、漏极和像素电极层上方形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上方形成栅极图形；

在栅极图形上方分别形成钝化层、狭缝状公共电极层。

5.如权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层除源极和漏极之间区域，其他区域的厚度为

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的源极和漏极之间区域的厚度为

7.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：

栅极绝缘层；

覆盖在所述栅极绝缘层一侧的有源层，源极和漏极；

覆盖在所述栅极绝缘层另一侧的栅极图形；

其中所述源极和漏极与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度大于所述源极和漏极之间有源层与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，当所述栅极图形位于靠近衬底基板一侧时，所述阵列基板还包括：

形成于衬底基板上的栅极图形；

形成于栅极图形以及衬底基板上的栅极绝缘层；

形成于栅极绝缘层上的有源层；

形成于有源层上的源极、漏极、像素电极层；

形成于源极、漏极、像素电极层上的钝化层和狭缝状公共电极层，所述像素电极与漏极电连接。

9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，当所述栅极图形位于远离衬底基板一侧时，所述阵列基板还包括：

形成于衬底基板上的有源层；

形成于有源层上的源极、漏极和像素电极层；

形成于源极、漏极和像素电极层上方的栅极绝缘层；

形成于栅极绝缘层上方的栅极图形；

形成于栅极图形上方的钝化层、狭缝状公共电极层。

10.如权利要求7～9任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上栅极绝缘层除源极和漏极之间区域，其他区域的厚度为

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中栅极绝缘层的源极和漏极之间区域的厚度为

12.一种显示装置，其特征在于，该显示装置含有权利要求7～11任一一种阵列基板。