[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

目前液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）的主要结构包括液晶面板，液晶面板包括薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板、彩膜基板，以及位于两基板之间的液晶等材料，其中TFT阵列基板是目前主流的阵列基板。TFT阵列基板一般包括栅极层、栅极绝缘层，有源层、源漏电极层、绝缘保护层、像素电极层等多层结构。非金属层材料的沉积一般采用等离子增强化学沉积方法进行。液晶显示器的重要的改进方向是提高开口率和降低功耗，为了实现具有高开口率，通常TFT阵列基板上具有两层氧化铟锡ITO和多层布线，源极和漏极与栅极之间的电容较大，增加了TFT的负载，使得液晶显示屏功耗很大，由于现在手机电池可使用时间普遍不高，需要降低功耗。现有技术中对于降低源极和漏极与栅极之间的电容方案较少，同时受到有源层自由电子迁移率低的影响，栅极绝缘层电容不能降低太多，否则将会导致充电困难。

因此，现有技术中由于源极和漏极与栅极间的电容较大，增加了TFT的负载，导致像素负载增加，增加整个显示器件的功耗，造成了较高的功耗。

发明内容

本发明实施例提供一种低功耗的阵列基板的制作方法，用以解决现有技术中由于源极和漏极与栅极间的电容较大，增加了TFT的负载，导致像素负载增加，增加整个显示器件的功耗，造成了较高的功耗。

本发明实施例提供了一种低功耗的阵列基板的制作方法，该方法包括：

采用一次构图工艺对源极和漏极之间区域的栅极绝缘层进行部分刻蚀处理；

通过一次构图工艺形成有源层，所述有源层覆盖所述栅极绝缘层部分刻蚀区域；

通过一次构图工艺形成栅极图形，所述栅极图形覆盖栅极绝缘层部分刻蚀区域，及源极和漏极对应的栅极绝缘层区域；

其中，所述栅极图形和所述有源层位于栅极绝缘层不同侧，且所述源极和漏极与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度大于所述源极和漏极之间所述有源层与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度。

上述实施例中该阵列基板的源极和漏极与栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度大于有源层与栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度；由于源极和漏极与栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度较厚，使源极和漏极与栅极之间的电容减小，并且有源层和栅极图形之间的电容大小没有发生改变，降低了源极和漏极分别对应的Cgs和Cgd电容，减少了像素负载，降低了整个显示器件的功耗，减少了不必要的功耗，同时不影响阵列基板的显示效果。

本发明实施例中采用一次构图工艺对源极和漏极之间区域的栅绝缘层部分刻蚀，具体包括：

通过半曝光工艺对源极和漏极之间区域的栅绝缘层进行部分刻蚀处理，对栅极绝缘层的过孔区域进行全曝光处理，形成栅绝缘层过孔。

上述实施例中通过一次构图工艺形成源极和漏极之间的区域，以及过孔区域，减少了一次构图工艺，简化了制作工艺。

本发明实施例中当所述栅极图形位于靠近衬底基板一侧时，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅极图形；

在形成栅极图形的基板上形成栅极绝缘层；

在栅绝缘层上形成有源层；

在有源层上形成源极、漏极、像素电极层；

在源极、漏极、像素电极层上分别形成钝化层和狭缝状公共电极层，所述像素电极与漏极电连接。

当所述栅极图形位于远离衬底基板一侧时，所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层；

在有源层上形成源极、漏极和像素电极层；

在源极、漏极和像素电极层上方形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上方形成栅极图形；

在栅极图形上方分别形成钝化层、狭缝状公共电极层。

上述实施例中栅极绝缘层和有源层分开沉积，对源极和漏极之间的栅极绝缘层进行半曝光模式曝光，将源极和漏极之间的栅极绝缘层部分刻蚀，使有源层与栅极之间的电容基本保持不变；增加了源极漏极和栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度，减小了源极漏极和栅极图形之间的电容；并且将过孔构图工艺顺序安排在有源层之前，使整个制作工艺的构图工艺次数保持不变。

本发明实施例中所述栅极绝缘层除源极和漏极之间区域，其他区域的厚度为

上述实施例中源极和漏极与栅极之间的绝缘介质层的厚度较厚，源极和漏极分别与栅极形成的电容也就较小，损耗的电能也就越小，因此大大降低了能量的损耗。