[发明专利]一种底部具有金属凹槽结构的硅基薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种底部具有金属凹槽结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于包括：具有周期性凹槽的金属电极以及硅基薄膜，其中所述硅基薄膜形成在具有周期性凹槽的金属电极表面，并且所述具有周期性凹槽的金属电极位于硅基薄膜底部。

2.根据权利要求1所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硅基薄膜的材料为单晶Si。

3.根据权利要求1或2所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硅基薄膜厚度在纳米级别。

4.根据权利要求3所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硅基薄膜厚度为100nm～500nm。

5.根据权利要求1所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述具有周期性凹槽的金属电极材料为Cu、Ag或Au。

6.根据权利要求1或5所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述具有周期性凹槽的金属电极的凹槽周期形状为正方形晶格。

7.根据权利要求6所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述具有周期性凹槽的金属电极的凹槽周期长度为200nm～400nm。

8.根据权利要求1或5所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于：所述具有周期性凹槽的金属电极的凹槽形状为正方形。

9.根据权利要求8所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述具有周期性凹槽的金属电极的凹槽边长为160nm～240nm。

10.根据权利要求8所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述具有周期性凹槽的金属电极的凹槽深度为20nm～100nm。

11.根据权利要求1～10所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述具有周期性凹槽的金属电极是通过飞秒激光三维微细加工技术制备的，所述硅基薄膜的沉积方法为磁控溅射沉积方式。