[发明专利]一次编程存储器及其相关存储单元结构

权利要求书

1.一种一次编程存储器，包括：

一第一型区域；

一鳍状结构，凸出于该第一型区域，且该鳍状结构中具有一第一第二型掺杂区域、一第二第二型掺杂区域；

一第一栅极结构，形成于该鳍状结构上且位于该第一第二型掺杂区域与该第二第二型掺杂区域之间，其中该第一栅极结构覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面；以及

一第二栅极结构，形成于该鳍状结构上且位于该第二第二型掺杂区域的一侧，其中该第二栅极结构覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面；

其中，该鳍状结构、该第一第二型掺杂区域、该第二第二型掺杂区域与该第一栅极结构形成一第一存储单元中的一第一开关晶体管；该鳍状结构、该第二第二型掺杂区域与该第二栅极结构形成该第一存储单元中的一第一储存晶体管，该第一开关晶体管的栅极端连接至一第一字元线，该第一开关晶体管的第一漏/源端连接至一第一位元线，该第一开关晶体管的第二漏/源端连接至该第一储存晶体管的第一漏/源端，该第一储存晶体管的第二漏/源端为浮接，该第一储存晶体管的栅极端连接至一第一控制线。

2.根据权利要求1的一次编程存储器，其中，该鳍状结构中具有一第三第二型掺杂区域、一第四第二型掺杂区域，且该一次编程存储器还包括：

一第三栅极结构，形成于该鳍状结构上且位于该第三第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间，其中该第三栅极结构覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面；以及

一第四栅极结构，形成于该鳍状结构上且位于该第四第二型掺杂区域的一侧，其中该第四栅极结构覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面；

其中，该鳍状结构、该第三第二型掺杂区域、该第四第二型掺杂区域与该第三栅极结构形成一第二存储单元中的一第二开关晶体管；该鳍状结构、该第四第二型掺杂区域与该第四栅极结构形成该第二存储单元中的一第二储存晶体管，该第二开关晶体管的栅极端连接至一第二字元线，该第二开关晶体管的第一漏/源端连接至该第一位元线，该第二开关晶体管的第二漏/源端连接至该第二储存晶体管的第一漏/源端，该第二储存晶体管的第二漏/源端为浮接，该第二储存晶体管的栅极端连接至一第二控制线。

3.根据权利要求2的一次编程存储器，还包括：

一第三存储单元，包括一第三开关晶体管与一第三储存晶体管，其中该第三开关晶体管的栅极端连接至该第一字元线，该第三开关晶体管的第一漏/源端连接至一第二位元线，该第三开关晶体管的第二漏/源端连接至该第三储存晶体管的第一漏/源端，该第三储存晶体管的第二漏/源端为浮接，该第三储存晶体管的栅极端连接至该第一控制线；以及

一第四存储单元，包括一第四开关晶体管与一第四储存晶体管，其中该第四开关晶体管的栅极端连接至该第二字元线，该第四开关晶体管的第一漏/源端连接至该第二位元线，该第四开关晶体管的第二漏/源端连接至该第四储存晶体管的第一漏/源端，该第四储存晶体管的第二漏/源端为浮接，该第四储存晶体管的栅极端连接至该第二控制线。

4.根据权利要求2的一次编程存储器，其中该第一栅极结构，包括一第一栅极氧化层覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面、一第一栅极层覆盖于该第一栅极氧化层上、与一第一间隔件形成于该第一栅极层的侧壁；该第二栅极结构，包括一第二栅极氧化层覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面、一第二栅极层覆盖于该第二栅极氧化层上、与一第二间隔件形成于该第二栅极层的侧壁；该第三栅极结构，包括一第三栅极氧化层覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面、一第三栅极层覆盖于该第二栅极氧化层上、与一第三间隔件形成于该第三栅极层的侧壁；以及该第四栅极结构，包括一第四栅极氧化层覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面、一第四栅极层覆盖于该第四栅极氧化层上、与一第四间隔件形成于该第四栅极层的侧壁。

5.根据权利要求4的一次编程存储器，其中该第二间隔件与该第四间隔件彼此重叠。

6.根据权利要求5的一次编程存储器，其中重叠的该第二间隔件与该第四间隔件的宽度小于三倍该第二栅极结构的宽度。

7.根据权利要求2的一次编程存储器，其中，该鳍状结构中该第二第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间为一第一型半导体。

8.根据权利要求7的一次编程存储器，其中该第二栅极结构与该第四栅极结构之间的该鳍状结构为一第一型重掺杂区域。