[发明专利]一种灵敏放大器及应用其的存储系统有效

专利信息
申请号: 201410197200.0 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN103956179B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 陈晓璐 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 胡彬,邓猛烈
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏 放大器 应用 存储系统
【权利要求书】:

1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管;

所述第一PMOS管的栅极与第一信号端连接,源极接电源,漏极与所述第二PMOS管的源极连接;

所述第二PMOS管的漏极与参考电流输入端连接,栅极与其漏极以及所述第三PMOS管的栅极连接;

所述第三PMOS管的漏极与输出端连接,源极通过节点与所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极连接;

所述第四PMOS管的栅极与第二信号端连接,源极接电源;

所述第五PMOS管的栅极与其漏极连接,源极接电源;

在所述灵敏放大器上电的过程中,所述电源通过所述第五PMOS管对所述节点进行充电;

在所述灵敏放大器上电完成后,所述节点的电压为所述电源的电压与所述第五PMOS管的阈值电压之差。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一信号端用于接收第一信号,所述第二信号端用于接收第二信号,所述参考电流输入端用于接收参考电流。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,在所述灵敏放大器上电完成后,施加在所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极的参考电压等于所述电源的电压;

在所述灵敏放大器上电完成后且当所述第一信号为低电平时,所述第一PMOS管导通,同时根据所述参考电流的大小开始建立所述参考电压;

在所述参考电压建立完成后且当所述第二信号为低电平时,所述第四PMOS管导通,所述节点的电压变为所述电源的电压,使所述第三PMOS管导通,灵敏放大器开始工作。

4.根据权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二PMOS管的阈值电压与所述第三PMOS管的阈值电压相等,所述第二PMOS管的过驱动电压小于所述第五PMOS管的阈值电压。

5.一种存储系统,所述存储系统包括参考单元、存储单元和灵敏放大器,所述灵敏放大器的参考电流输入端与所述参考单元连接以及所述灵敏放大器的输出端与所述存储单元连接,所述灵敏放大器用于比较所述参考单元产生的电流和所述存储单元产生的电流的大小,其特征在于,所述灵敏放大器为上述权利要求1-4中任一项所述的灵敏放大器。

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