[发明专利]一种灵敏放大器及应用其的存储系统有效

专利信息
申请号: 201410197200.0 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN103956179B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 陈晓璐 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 胡彬,邓猛烈
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏 放大器 应用 存储系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及存储技术领域,尤其涉及一种灵敏放大器及应用其的存储系统。

背景技术

在储存系统中,通常用使用灵敏放大器,用来比较存储单元产生的电流和参考单元产生的电流的大小,以确定存储单元存储的是0还是1。

在灵敏放大器中,会包含一些中间的节点,有些节点可以直接连接到电源或者地,而有些不能直接连接到电源或者地的,将保持浮空状态。在灵敏放大器中,通常也会有很多的开关(可以用晶体管来实现),在开关闭合前,特别是第一次闭合前,处于浮空状态的节点的电压不可预测,因此,开关闭合后该节点的电压跳变值及其带来的影响也不可预估。为了减小开关闭合前后跳变的影响,可以在开关闭合前将浮空电压置于一个相对接近工作值的电压,尽可能减少开关闭合时的电压跳动。

图1是现有技术的灵敏放大器的电路图。参见图1,灵敏放大器包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3和第四PMOS管P4以及用于接收第一信号的第一信号端REFEN、用于接收第二信号的第二信号端SAEN、用于接收参考电流的参考电流输入端REF0、输出端OUT0和处于浮空状态的节点PS0。在灵敏放大器上电完成后,加在第二PMOS管P2的栅极和第三PMOS管P3的栅极上的参考电压VREF0等于电源VS0的电压,而节点PS0的电压为一个不确定的值。当第二信号为低电平时,第四PMOS管P4导通,在导通瞬间,节点PS0的电压从一个不确定的值快速升高到电源VS0的电压,其大幅度跳变会通过寄生电容耦合引起参考电压VREF等周边信号的抖动。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种灵敏放大器及应用其的存储系统,以解决现有技术中的灵敏放大器在开关闭合前后处于浮空状态的节点的电压大幅度跳变所引起的周边信号抖动的技术问题。

第一方面,本发明实施例提供了一种灵敏放大器,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管;

所述第一PMOS管的栅极与第一信号端连接,源极接电源,漏极与所述第二PMOS管的源极连接;

所述第二PMOS管的漏极与参考电流输入端连接,栅极与其漏极以及所述第三PMOS管的栅极连接;

所述第三PMOS管的漏极与输出端连接,源极通过节点与所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极连接;

所述第四PMOS管的栅极与第二信号端连接,源极接电源;

所述第五PMOS管的栅极与其漏极连接,源极接电源。

进一步地,所述第一信号端用于接收第一信号,所述第二信号端用于接收第二信号,所述参考电流输入端用于接收参考电流。

进一步地,在所述灵敏放大器上电的过程中,所述电源通过所述第五PMOS管对所述节点进行充电;

在所述灵敏放大器上电完成后,所述节点的电压为所述电源的电压与所述第五PMOS管的阈值电压之差。

进一步地,在所述灵敏放大器上电完成后,施加在所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极的参考电压等于所述电源的电压;

在所述灵敏放大器上电完成后且当所述第一信号为低电平时,所述第一PMOS管导通,同时根据所述参考电流的大小开始建立所述参考电压;

在所述参考电压建立完成后且当所述第二信号为低电平时,所述第四PMOS管导通,所述节点的电压变为所述电源的电压,使所述第三PMOS管导通,灵敏放大器开始工作。

进一步地,所述第二PMOS管的阈值电压与所述第三PMOS管的阈值电压相等,所述第二PMOS管的过驱动电压小于所述第五PMOS管的阈值电压。

第二方面,本发明实施例还提供了一种存储系统,所述存储系统包括参考单元、存储单元和灵敏放大器,所述灵敏放大器的参考电流输入端与所述参考单元连接以及所述灵敏放大器的输出端与所述存储单元连接,所述灵敏放大器用于比较所述参考单元产生的电流和所述存储单元产生的电流的大小,其中,所述灵敏放大器为上述第一方面所述的灵敏放大器。

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