[发明专利]一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法

权利要求书

1.一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，其特征在于所述键合过程中，利用电流焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合。

2.根据权利要求1所述的实现硅通孔叠层芯片互连的方法，其特征在于所述键合过程中，控制电流强度为0.6KA~1.5KA，焊接时间为90~2000ms。

3.一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，其特征在于所述键合过程中，利用热板预热条件下的焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合。

4.根据权利要求1所述的实现硅通孔叠层芯片互连的方法，其特征在于所述键合过程中，控制热板预热温度为50~150℃，电流强度为0.6KA~1.2KA，焊接时间为90~1500ms。

5.一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，其特征在于所述键合过程中，利用超声条件下的焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合。

6.根据权利要求1所述的实现硅通孔叠层芯片互连的方法，其特征在于所述键合过程中，控制电流强度为0.6~1.0KA，键合时间为90~1000ms，超声频率为20KHz，功率为300~750W。