[发明专利]3DIC密封环结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410253422.X | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779243B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 何承颖;陈保同;王文德;刘人诚;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dic 密封 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一半导体芯片，包括第一衬底、多个第一介电层和多条导线，所述多条导线形成在所述第一衬底上方的第一介电层中；
第二半导体芯片，所述第二半导体芯片的一表面接合至所述第一半导体芯片的第一表面，所述第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层和多条第二导线，并且所述多条第二导线形成在所述第二衬底上方的第二介电层中；
第一导电部件，从所述第一半导体芯片延伸至所述多条第二导线中的一条；以及
第一密封环结构，从所述第一半导体芯片延伸至所述第二半导体芯片；
第二密封环结构，延伸穿过所述多个第二介电层；
第三密封环结构，延伸穿过所述多个第一介电层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构延伸穿过所述第一半导体芯片的接合的第一表面和所述第二半导体芯片的接合的表面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构和所述第一导电部件由相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构沿着所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的外围。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构环绕所述第一半导体芯片。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构与所述第二密封环结构直接接触。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构与所述第三密封环结构直接接触。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电部件将所述第一半导体芯片电连接至所述第二半导体芯片，并且所述第一密封环结构不电连接至任何有效器件。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电部件从所述第一半导体芯片的第二表面延伸至所述多条第二导线中的一条，并且所述第一密封环结构从所述第一半导体芯片的第二表面延伸至所述第二半导体芯片。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体芯片是背照式传感器，而所述第二半导体芯片是逻辑电路。
11.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
提供第一芯片，所述第一芯片具有衬底和多个介电层，所述多个介电层中形成有金属化层；
将所述第一芯片的多个介电层的第一表面接合至第二芯片的一表面；
形成从所述第一芯片延伸至所述第二芯片中的金属化层的第一导电部件；以及
形成从所述第一芯片延伸至所述第二芯片的第一密封环结构；
在所述第二芯片中形成第二密封环结构；
形成延伸穿过所述多个介电层的第三密封环结构。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，同时实施形成所述第一导电部件和形成所述第一密封环结构。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第一密封环结构还包括：
形成从所述衬底的背面延伸穿过所述多个介电层直至所述第二芯片的第一开口；以及
在所述第一开口中形成导电材料。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述第一导电部件还包括：
形成从所述衬底的背面延伸穿过所述多个介电层直至所述第二芯片中的金属化层的第二开口，所述第二开口与所述第一开口横向间隔开；以及在所述第二开口中形成所述导电材料。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一密封环结构与所述第二密封环结构直接接触。
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