[发明专利]一种白光发光二极管的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种白光发光二极管的制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种半导体发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等。白光LED的能耗仅为白炽灯的1/8，荧光灯的1/2，是继白炽灯和日光灯之后的第三代电光源。白光LED寿命可长达10万小时，对于普通家庭照明可谓“一劳永逸”，同时还可实现无汞化，回收容易，对于环境保护和节约能源具有重要意义，已成为世界各地光源和灯具研究机构竞相开发、努力获取的目标，是未来照明领域的明星行业。

目前一种制作白光LED的包括：制作LED芯片；将LED芯片固定在支架上；将聚二甲基硅酮和用于LED封装的固化剂按第一预定比例调配形成配粉胶；按照第二预定比例调配荧光粉和配粉胶；将调配后的荧光粉和配粉胶涂覆在LED的封装体上。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

现有的白光LED的制作方法需要在完成LED芯片的制作后，专门在封装阶段完成荧光粉的涂覆，过程繁琐冗长，白光LED的生产效率较低。

发明内容

为了解决现有技术过程繁琐冗长，白光LED的生产效率较低的问题，本发明实施例提供了一种白光发光二极管的制作方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种白光发光二极管的制作方法，所述方法包括：

在临时基板上依次沉积N型层、发光层、P型层，构成LED晶片；

在所述P型层上形成掺有荧光粉的键合层；

将所述键合层与永久基板键合；

去除所述临时基板，并将所述LED晶片倒置；

在所述LED晶片上开设从所述N型层延伸到所述P型层的凹槽；

在所述N型层上沉积金属反射层；

在所述金属反射层上设置N电极，在所述P型层上设置P电极。

优选地，所述荧光粉均匀分布在所述键合层中。

可选地，所述荧光粉占所述键合层的比例大于0且小于50％。

可选地，所述荧光粉为钇铝石榴石YAG铝酸盐荧光粉、氮化物荧光粉或者硫化物荧光粉。

优选地，所述荧光粉为YAG铝酸盐荧光粉中的YAG：Ce3+荧光粉，且YAG与Ce3+的比例大于或等于9:1。

可选地，所述键合层采用有机黏合胶、环氧树脂中的一种或多种制成。

可选地，所述键合层的厚度为1-200微米。

可选地，所述永久基板采用蓝宝石、磷化镓、玻璃透明基板中的一种或多种制成。

可选地，所述临时基板采用Si片、蓝宝石、SiC基板中的一种或多种制成。

可选地，所述金属反射层采用Au、Ag、Al、Pt、Zn中的一种或多种制成。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过在LED芯片的制作过程中，将荧光粉掺入键合层中，省去在制作LED芯片后的封装过程中涂覆荧光粉的过程，过程简单方便，提高了白光LED的生产效率，并且实现了白光LED芯片的小型化和集成化。而且与涂覆在封装件上相比，将荧光粉掺入键合层中时，荧光粉与发光层的距离较近，发光层发出的部分蓝光更容易激发荧光粉发出黄光，并与发光层发出的另一部分蓝光混合后发出白光，减少了光损失，提高了发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种白光LED的制作方法的流程图；

图2a-图2h是本发明实施例提供的LED芯片在制作白光LED的过程中的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例

本发明实施例提供了一种白光LED的制作方法，参见图1，该方法包括：

步骤101：在临时基板上依次沉积N型层、发光层、P型层，构成LED晶片。

可选地，临时基板包括Si片、蓝宝石、SiC基板中的一种或多种，如蓝宝石，使LED晶片可以有较好的热导率，提高了产品性能。

具体地，N型层可以为N型GaN层，P型层可以为P型GaN层。