[发明专利]混合CZTSSe光伏器件

权利要求书

1.一种光伏器件，所述器件包括：

第一接触；

混合吸收体层，包括：

硫属化物层；以及

与所述硫属化物接触的半导体层；

在所述吸收体层上形成的缓冲层；以及

在所述缓冲层上形成的透明导电接触层，

还包括第二半导体层，其中所述半导体层和所述第二半导体层夹住所述硫属化物层。

2.根据权利要求1的器件，其中，所述硫属化物层包括CZTSSe。

3.根据权利要求2的器件，其中所述CZTSSe包括Cu_2-xZn_1+ySn(S_1-zSe_z)_4+q，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，-1≤q≤1。

4.根据权利要求1的器件，其中，所述半导体层包括Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ₂族材料之一。

5.根据权利要求1的器件，其中所述半导体层包括CIGSSe。

6.根据权利要求5的器件，其中所述CIGSSe包括CuIn_xGa_(1-x)Se₂，其中x的值从1变化到0。

7.根据权利要求1的器件，其中所述半导体层与所述缓冲层接触，且所述硫属化物层与所述半导体层接触并与所述缓冲层相对。

8.根据权利要求1的器件，还包括在所述透明导电接触层上形成的金属接触以及还包括在其上形成有所述第一接触的衬底。

9.一种光伏器件，所述器件包括：

衬底；

在所述衬底上形成的第一接触；

混合吸收体层，包括：

CZTSSe层；以及

与所述CZTSSe层接触的至少一个半导体层；以及

在所述吸收体层上形成的缓冲层；

在所述缓冲层上形成的透明导电接触层；以及

在所述透明导电接触层上形成的金属接触，所述金属接触和所述透明导电接触层形成前光接收表面，

其中，所述至少一个半导体层包括两个半导体层，且所述CZTSSe层夹在所述两个半导体层之间。

10.根据权利要求9的器件，其中，所述CZTSSe包括Cu_2-xZn_1+ySn(S_1-zSe_z)_4+q，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，-1≤q≤1。

11.根据权利要求9的器件，其中所述至少一个半导体层包括CIGSSe或CuIn_xGa_(1-x)Se₂，其中x的值从1变化到0。

12.一种用于制造光伏器件的方法，所述方法包括：

在衬底上沉积第一接触；

在所述第一接触上形成混合吸收体层，所述混合吸收体层包括CZTSSe层和与所述CZTSSe层接触的另一半导体层；

在所述吸收体层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上沉积透明导电接触层；以及

在所述透明导电接触层上构图金属接触，所述金属接触和所述透明导电接触层形成前光接收表面，

其中在所述另一半导体层和又一半导体层之间形成所述CZTSSe层。

13.根据权利要求12的方法，其中所述半导体层包括CIGSSe。

14.根据权利要求12的方法，还包括在所述混合吸收体层的形成期间，通过控制厚度和带隙中的至少一个来优化性能。