[发明专利]读取器结构

说明书

本公开描述了一种读取器结构。此处公开的设备包括：磁性自由层；以及自由层的第一侧上的第一阻挡层，其中阻挡层在顺轨道方向上直接接触底部护罩。

背景技术

在磁数据存储取出系统中，磁读写头包括具有用于以磁方式取出磁盘上存储的编码信息的磁阻(MR)传感器的读取器部分。来自盘表面的磁通量导致了MR传感器的感测层的磁矢量的旋转，这继而又导致MR传感器的电阻率的变化。通过使得电流流经MR传感器并测量MR传感器两端的电压，可检测MR传感器的电阻率的变化。外部电路随后将电压信息转换成适当的格式并操纵该信息来恢复盘上编码的信息。

发明内容

发明内容被提供用于介绍下文在具体实施方式中进一步描述的简化形式的构思选的择。发明内容并非旨在识别出所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也并非用于限制所要求保护的主题的范围。根据下述各种实施方式的更详细描写的具体实施例以及附图中进一步图示的及所附权利要求限定的实施方式，所要求保护的主题的其它特征、细节、用途和优势将变得明显。

此处公开的设备包括具有第一层和阻挡层的传感器叠层，其中阻挡层接触底部护罩。通过阅读下述详细说明，这些和各种其它特征和优势将变得明显。

附图说明

图1图示出具有示例MR传感器的数据存储装置。

图2图示出MR传感器的示例实施方式的ABS示图。

图3图示出MR传感器的替换示例实施方式的ABS示图。

图4图示出MR传感器的替换示例实施方式的ABS示图。

图5图示出此处公开的MR传感器的各种磁层的磁化图。

图6图示出针对各种MR传感器结构的在顺轨道方向上的过渡回读导数的示图。

图7图示出针对各种MR传感器结构的比较的PW50性能和幅度的示图。

图8图示出针对各种MR传感器结构的在跨道方向上的微轨道回读的的替换示图。

图9图示出出用于制造此处公开的磁阻传感器的示例操作。

具体实施方式

越来越需要高数据密度和灵敏的传感器来从磁介质中读取数据。具有增大的灵敏度的特大磁阻(GMR)传感器由被诸如铜之类的薄的导电的非磁性隔离层隔开的两个铁磁层构成。在隧道磁阻(TMR)传感器中，电子在与薄的绝缘阻挡物上的层相垂直的方向上行进。反铁磁性(AFM)材料被布置成邻接第一磁性层(称为钉扎层(PL))以防止其旋转。出现该特性的AFM材料被称为钉扎材料。利用其所呈现的旋转，第一软层被称为钉扎层。第二软层响应于外部场而自由旋转并且被称为自由层(FL)”。

为了适当地操作MR传感器，传感器应当相对于边缘畴的形成稳定，这是因为畴壁移动导致了使得数据恢复变得困难的电噪声。实现稳定的通用方法是采用与结靠接的永磁体的设计。在该方案中，具有矫顽磁场的永磁体(即，硬磁铁)被布置在传感器的每端。来自永磁体的场稳定了传感器并防止边缘畴的形成，而且提供了适当的偏置。为了增大PL的稳固性，在PL中使用“合成反铁磁(SAF)。AFM/PL的使用实现了SAF结构的一致的并且可预测的定向。而且，AFM/PL的使用还提供了稳定的结构以利用MR传感器实现用于读取器的高幅值的线性响应。

然而，利用AFM/PL结构，增大了读取器的盾牌间距(SSS)。随着脉冲宽度波动，确定了记录系统中的信噪比(SNR)的磁传感器的PW50取决于头部的SSS，所实现的更小的SSS导致了更低的PW50，而且因此增大了SNR。建模和实验获取的PW50与SSS之间的关系的示例可给出如下：

ΔPW50≌0.3*ΔSSS