[发明专利]用于IC封装的硅空间转变器

权利要求书

1.一种集成电路(IC)封装，包括：

在底表面上具有接合焊盘的至少第一IC，其中所述接合焊盘具有第一焊盘间距；以及

晶片制造的空间转变器，包括：

具有接合焊盘的顶表面，其中所述接合焊盘具有所述第一焊盘间距，并且其中所述第一IC的所述接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合；

具有接合焊盘的底表面，其中所述接合焊盘具有第二焊盘间距；

在所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层，其中所述至少一个电介质绝缘层包括利用体硅晶片衬底的体硅形成的二氧化硅(SiO₂)并且不包括体硅；以及

在所述电介质绝缘层中的导电性互连，其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，包括在所述空间转变器的所述顶表面与所述底表面之间的多个电介质绝缘层，其中所述导电性互连包括在所述顶表面与所述底表面之间的至少一个金属层，其中所述至少一个金属层被构图，以提供所述空间转变器的所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。

3.根据权利要求2所述的集成电路封装，其中利用晶片制造工艺形成所述多个电介质绝缘层和所述至少一个金属层，其中所述电介质绝缘层包括二氧化硅(SiO₂)并且不包括体硅。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装，包括设置于所述空间转变器上的第二IC，并且包括接合焊盘，其中所述第二IC的接合焊盘中的至少一部分与所述空间转变器的所述顶表面的接合焊盘接合，并且其中所述空间转变器包括导电性互连，以提供所述第一IC的接合焊盘的至少相同部分或不同部分与所述第二IC的接合焊盘的至少相同部分或不同部分之间的电连续性。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装，其中所述第一IC包括至少一个穿硅过孔(TSV)，并且其中所述空间转变器包括导电性互连，以提供从所述穿硅过孔到所述第二IC的接合焊盘的电连续性。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装，包括在所述空间转变器的所述顶表面上的聚合物层，其中所述第一IC设置于所述聚合物层内。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装，包括在所述空间转变器的所述顶表面上的底部填充层、以及设置于所述底部填充层之上的聚合物层，其中所述第一IC设置于所述聚合物层内。

8.根据权利要求1所述的集成电路封装，包括设置于所述第一IC的顶上的第二IC，其中所述第一IC的顶表面包括接合焊盘，并且所述第二IC的底表面包括接合焊盘，其中所述第二IC的所述底表面的接合焊盘中的至少一部分与所述第一IC的所述顶表面的接合焊盘接合。

9.根据权利要求8所述的集成电路封装，其中利用与形成所述第二IC所使用的IC制造工艺不同的IC制造工艺来形成所述第一IC。

10.根据权利要求8所述的集成电路封装，其中所述第一IC包括至少一个穿硅过孔，并且其中所述至少一个穿硅过孔提供从所述空间转变器的所述底表面上的接合焊盘到所述第二IC的所述底表面上的接合焊盘的电连续性。

11.根据权利要求8所述的集成电路封装，包括设置于所述空间转变器上的第三IC，并且包括接合焊盘，其中所述第一IC包括至少一个穿硅过孔，并且其中所述至少一个穿硅过孔提供从所述第二IC的所述底表面上的接合焊盘到所述空间转变器的所述顶表面的电连续性，并且提供从所述第二IC的所述底表面上的接合焊盘到所述第三IC的接合焊盘的电连续性。

12.根据权利要求1所述的集成电路封装，包括：

无源电器件，其仅包括无源电路部件、至少一个穿硅过孔、以及具有第一焊盘间距的接合焊盘，其中所述无源电器件的底表面的接合焊盘中的至少一部分与所述空间转变器的所述顶表面的接合焊盘接合；以及

设置于所述无源电器件的顶上的第二IC，其中所述第二IC的底表面包括接合焊盘，并且其中所述无源电器件的所述至少一个穿硅过孔提供从所述空间转变器的所述顶表面上的接合焊盘到所述第二IC的所述底表面上的接合焊盘的电连续性。