[发明专利]用于IC封装的硅空间转变器有效
申请号: | 201410293670.7 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN104253111B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | D·马利克;R·L·赞克曼;S·沙兰 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/498;H01L21/98 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 ic 封装 空间 转变 | ||
技术领域
实施例涉及集成电路的封装。一些实施例涉及集成电路插座。
背景技术
电子系统通常包括连接到诸如衬底或主板的组件的集成电路(IC)。可以对IC进行封装并将其插入到安装在组件上的IC封装中。随着电子系统设计变得越发复杂,满足系统所期望的尺寸限制成为挑战。影响设计的整体尺寸的一个方面是IC封装的触点的互连所要求的间隔。随着间隔减小,所封装的IC可能变得不太鲁棒,并且满足间隔要求的成本可能增加。因此,通常需要解决IC的触点间隔的挑战并且还提供鲁棒的、成本高效的设计的器件、系统和方法。
附图说明
图1示出根据一些实施例的器件的示例的示图,所述器件包括用于至少一个IC的组件或封装;
图2示出根据一些实施例的包括设置于空间转变器(space transformer)上的第一IC和第二IC的器件的示例的示图;
图3示出根据一些实施例的包括设置于空间转变器上的IC的器件的另一个示例的示图;
图4示出根据一些实施例的包括位于空间转变器上的IC的器件的又一个示例的示图;
图5示出根据一些实施例的包括位于空间转变器上的IC的器件的又一个示例的示图;以及
图6示出根据一些实施例的形成包括至少一个IC的组件的方法的示例的流程图;
图7示出根据一些实施例的多芯片空间转变器的多角度的示图;
图8示出根据一些实施例的多芯片空间转变器的组件的附加阶段。
具体实施方式
以下说明和附图对特定实施例进行了充分的说明,以使本领域的技术人员能够实现这些实施例。其它实施例可以包含结构上的、逻辑上的、电学的、工艺以及其它变化。一些实施例的部分和特征可以包括在其它实施例的部分和特征内,或可以替换其它实施例的部分和特征。在权利要求书中阐述的实施例包括那些权利要求的所有可用的等价物。
对于在较小器件中增加计算能力的需求使片上系统封装的使用增加。对于提高具有较小尺寸的计算机的性能的要求会导致更大量的信号被提供至IC封装并由IC封装接收。大量的信号会需要较细的间距,用于SoC与其它诸如存储器、显示器、通信总线等等的电子部件之间的输入-输出(I/O)互连。然而,用于I/O的较细的间距可能致使封装昂贵,以适应与互连线的宽度、互连之间的间隔和用于在互连之间防止电迁移的间隔相关联的较精细的几何尺寸。这导致封装要求与低成本的需求冲突。一种方法是向IC封装添加使I/O分开较大的间距的部件。利用这种部件的一些问题是:要求该部件具有相当大的厚度(例如,100微米(μm)),从而能够在装配期间对其进行处理;该部件增加了SoC的成本并且会向I/O增加较高的电容和电阻。
图1示出了包括用于至少一个IC的组件或封装的器件105的示例的示图。器件105至少包括第一IC110,其在IC110的底表面上具有接合焊盘。接合焊盘可以向IC中制造的电子器件提供电连续性。接合焊盘具有第一焊盘间距。第一焊盘间距是适应IC110的I/O的密度的精细间距。器件105还包括晶片制造的空间转变器(ST)。ST115包括具有接合焊盘的顶表面,并且顶表面上的接合焊盘具有第一焊盘间距。IC110的接合焊盘中的至少一部分与ST115的顶表面的接合焊盘接合。附图还示出了聚合物层125(例如,模制化合物),IC110设置在聚合物层125内并且覆盖顶表面上的接合部。在一些示例中,器件105包括ST115的顶表面上的底部填充层,并且聚合物层设置在底部填充层之上。
ST115还包括具有接合焊盘的底表面,并且底表面的接合焊盘具有第二焊盘间距。附图示出了附着在接合焊盘上的焊料凸块120。第二焊盘间距相较于第一焊盘间距更大或更不精细,并且具有较小的焊盘密度。较小的焊盘密度意味着相较于第一焊盘间距,第二焊盘间距可以具有更小的每平方米的焊料凸块数量(凸块/mm2)。ST115还包括顶表面与底表面之间的至少一个电介质绝缘层。电介质层可以包括导电性互连,以提供ST115的顶表面的接合焊盘与ST115的底表面的接合焊盘之间的电连续性。因此,ST115提供第一焊盘间距的密度与第二焊盘间距的密度之间的转换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410293670.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全自动精密检测设备
- 下一篇:衬底间通孔连接结构及其制造方法