[发明专利]用于磁记录头的写间隙结构有效

专利信息
申请号: 201410294168.8 申请日: 2014-06-26
公开(公告)号: CN104252869B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 田伟;H·殷;Y·董;J·M·芒德纳;J·薛 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/60 分类号: G11B5/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 毛力
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 记录 间隙 结构
【权利要求书】:

1.一种写组件,包括:

具有柱尖的写柱体,所述柱尖包括斜角柱尖表面,所述斜角柱尖表面具有在气垫面处形成的底部边缘以及与底部边缘隔开的顶部边缘;

与柱尖隔开的前端护罩,其具有通过位于斜角柱尖表面的顶部边缘下方的后边缘连接的上部后表面和下部后表面;以及

包括近侧写间隙分段和远侧写间隙分段的非磁性写间隙,近侧写间隙分段被布置成邻近气垫面并且具有在斜角柱尖表面和护罩的下部后表面之间延伸的近侧间隙宽度,远侧写间隙分段具有大于近侧间隙宽度的在斜角柱尖表面和护罩的上部后表面之间延伸的远侧间隙宽度,

其中上部后表面和下部后表面通过后台阶连接,以及

其中后台阶以与气垫面和垂直于气垫面的平面成非90度的角度向下倾斜地朝向气垫面。

2.根据权利要求1所述的写组件,其中柱尖的气垫面包括前缘和形成在斜角柱尖表面的底部边缘处的后缘,而且前缘具有相对于斜角柱尖表面的底部边缘处的后缘的跨道宽度尺寸更窄的跨道宽度尺寸。

3.根据权利要求1所述的写组件,其与具有软下层的介质以及返回柱组合来形成通过软下层的介于写柱体和返回柱之间的磁通路线。

4.根据权利要求1所述的写组件,其中下部后表面与斜角柱尖表面共形以形成沿近侧写间隙分段的共形间隙。

5.根据权利要求4所述的写组件,其中上部后表面与斜角柱尖表面不共形以形成沿远侧写间隙分段的非共形间隙。

6.根据权利要求1所述的写组件,其中下部后表面与斜角柱尖表面共形。

7.根据权利要求6所述的写组件,其中上部后表面与斜角柱尖表面不共形。

8.根据权利要求6所述的写组件,其中上部后表面与斜角柱尖表面共形。

9.根据权利要求1所述的写组件,其中前端护罩的上部和下部后表面具有不同斜角以定义近侧和远侧间隙宽度。

10.根据权利要求1所述的写组件,其中近侧间隙宽度小于25nm,远侧间隙宽度为25nm或更大。

11.根据权利要求1所述的写组件,其中近侧间隙宽度为20nm或更小,远侧间隙宽度大于20nm。

12.一种写组件,包括:

具有斜角柱尖表面的写柱体;

与斜角柱尖表面隔开的前端护罩;以及

处于斜角柱尖表面与前端护罩的下部后表面之间的非磁性写间隙,其具有小于25nm的共形写间隙宽度,

在斜角柱尖表面和前端护罩的上部后表面之间具有大于25nm的非共形写间隙宽度,非磁性写间隙是在与斜角柱尖表面正交的方向中测得;

其中上部后表面和下部后表面通过后台阶连接,以及

其中后台阶以与气垫面和垂直于气垫面的平面成非90度的角度向下倾斜地朝向气垫面。

13.根据权利要求12所述的写组件,其中在斜角柱尖表面和前端护罩的下部后表面之间的共形写间隙宽度为20nm或更小。

14.根据权利要求12所述的写组件,其中共形间隙宽度为20nm或更小,以及非共形间隙宽度大于20nm。

15.一种方法,包括:

沿柱尖的前斜角表面布置第一非磁性层,前斜角表面具有在气垫面处形成的底部边缘以及与底部边缘隔开的顶部边缘;

沿柱尖的前斜角表面在第一非磁性层上布置第二非磁性层;

刻蚀第二非磁性层以从第一非磁性层去除第二非磁性层的一部分;以及

在第一非磁性层上制造前端护罩以形成前端护罩的下部后表面,以及在第二非磁性层上制造前端护罩以形成前端护罩的上部后表面,以形成包括近侧写间隙分段和远侧写间隙分段的非磁性写间隙,近侧写间隙分段被布置成邻近气垫面并且具有在斜角柱尖表面和护罩的下部后表面之间延伸的近侧间隙宽度,远侧写间隙分段具有大于近侧间隙宽度的在斜角柱尖表面和护罩的上部后表面之间延伸的远侧间隙宽度;

其中上部后表面和下部后表面通过后台阶连接,以及

其中后台阶以与气垫面和垂直于气垫面的平面成非90度的角度向下倾斜地朝向气垫面。

16.根据权利要求15所述的方法,其中布置第一非磁性层和第二非磁性层的步骤包括布置第一材料来布置第一非磁性层以及布置不同于第一材料的第二材料来布置第二非磁性层。

17.根据权利要求15所述的方法,其中制造前端护罩的步骤包括:

在第一和第二非磁性层上布置种子层;以及

在种子层上布置前端护罩材料以形成前端护罩的上部和下部后表面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司,未经希捷科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410294168.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top