[发明专利]磁阻传感器

权利要求书

1.一种用于磁记录的设备，包括：

包括钉扎层的传感器叠层；以及

AFM稳定的底部护罩，接近所述传感器叠层的所述钉扎层而形成，其中AFM稳定的底部护罩被磁耦合至所述传感器叠层的所述钉扎层，并且所述AFM稳定的底部护罩包括接近所述传感器叠层的所述钉扎层的SAF结构的顶部层和所述SAF结构的钉扎层。

2.根据权利要求1所述的设备，其中SAF结构的顶部层利用薄的非磁性层与SAF结构的钉扎层隔开。

3.根据权利要求1所述的设备，其中SAF结构的钉扎层的钉扎方向包括与设备的气垫面(ABS)正交的分量。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述传感器叠层的钉扎层的钉扎方向包括与设备的气垫面(ABS)正交的分量。

5.根据权利要求1所述的设备，进一步包括所述钉扎层与AFM稳定的底部护罩之间的非磁性层。

6.根据权利要求1所述的设备，其中传感器叠层还包括具有与设备的ABS平行的磁定向的自由层。

7.根据权利要求6所述的设备，其中自由层被永磁体和侧护罩中的至少一个偏置。

8.根据权利要求6所述的设备，其中，在静止状态中，与设备的ABS接近的传感器叠层的参考层的磁定向的方向形成了相对于自由层的磁定向的钝角。

9.根据权利要求6所述的设备，其中AFM稳定的底部护罩进一步包括：

与传感器叠层接近的SAF结构的顶部层，其中SAF结构的顶部层中的磁定向包括与ABS平行的邻近ABS的第一分量，以及

SAF结构的钉扎层，其中SAF结构的钉扎层中的磁定向包括与ABS平行的第二分量，

其中第一分量和第二分量彼此基本上方向平行。

10.根据权利要求1所述的设备，其中SAF结构的钉扎层的钉扎方向与设备的气垫面(ABS)之间的角度介于30度和150度之间。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述钉扎层的磁定向基本上反向平行于传感器叠层的参考层的磁定向。

12.一种磁阻传感器，包括：

传感器叠层，其包括传感器钉扎层、传感器参考层和传感器自由层；以及

底部护罩，所述底部护罩磁耦合至所述传感器钉扎层，其中底部护罩包括在SAF结构中的底部护罩AFM层和底部护罩钉扎层，其中所述底部护罩AFM层使得底部护罩钉扎层稳定，并且所述SAF结构接近所述传感器钉扎层而形成。

13.根据权利要求12所述的磁阻传感器，其中底部护罩还包括与传感器叠层接近的SAF结构的顶部层。

14.根据权利要求13所述的磁阻传感器，其中底部护罩钉扎层的钉扎方向包括与磁阻传感器的ABS正交的分量。

15.根据权利要求14所述的磁阻传感器，其中SAF结构的顶部层的磁化方向包括与磁阻传感器的ABS正交并且与底部护罩钉扎层的磁化方向反向平行的分量。

16.根据权利要求14所述的磁阻传感器，进一步包括传感器叠层与底部护罩之间的非磁性材料层。

17.根据权利要求14所述的磁阻传感器，其中利用侧护罩和永磁体中的至少一个来偏置传感器叠层的自由层，而且自由层的磁定向基本上平行于磁阻传感器的ABS。

18.一种用于磁记录的设备，包括：

传感器叠层，包括传感器钉扎层；以及

磁阻传感器的底部护罩，其中利用底部护罩中的AFM层稳定了底部护罩，而且其中AFM层产生了SAF结构的底部护罩钉扎层中的磁定向，该磁定向具有与磁阻传感器的ABS正交的分量，其中所述底部护罩还包括接近所述传感器钉扎层的所述SAF结构的顶部层，并且所述底部护罩磁耦合至所述传感器钉扎层。

19.根据权利要求18所述的设备，其中传感器钉扎层的磁定向具有与磁阻传感器的ABS正交的分量。