[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其用于对基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：

用于在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线；和

配置在所述等离子体生成区域与所述高频天线之间，与主体容器绝缘的金属窗，其中，

所述金属窗由利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗构成，

所述主体容器中，由所述多个金属窗构成的金属窗分隔配置所述高频天线的天线室和包含所述等离子体生成区域的处理室，

为了降低所述金属窗的电位，所述多个金属窗分别通过一个接地点经由在金属部件之间夹有电阻元件的导电性部件接地。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一个接地点设置于所述多个金属窗各自的外周侧或内周侧的边的中央。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一个接地点通过与所述天线室的侧壁连接而接地。

4.如权利要求或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个金属窗中的至少一个金属窗还通过另一个接地点接地，由此通过两个接地点接地。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个金属窗与具有矩形形状的所述基板对应地配置，

所述两个接地点设置于所述多个金属窗中在与所述基板的长边对应的位置设置的金属窗。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述两个接地点设置于所述多个金属窗中的各个金属窗的、不设置所述两个接地点时流过相对较多的涡电流的区域。

7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个金属窗中相邻的两个金属窗经由电容器连接，并且分别设置于所述两个金属窗的所述一个接地点被电连接而形成有电流环电路。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电容器的电容被调整为使得所述电流环电路的电抗成为负性。

9.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电容器连接到所述多个金属窗中、在与所述基板的角部对应的位置设置的金属窗的与所述角部对应的位置。

10.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一个接地点与所述天线室的顶壁连接。

11.一种等离子体处理装置的等离子体分布调整方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置通过由与主体容器绝缘且利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗构成的金属窗将等离子体生成区域和高频天线隔离，并通过使高频电流流过所述高频天线，在所述等离子体生成区域产生感应耦合等离子体，对基板进行等离子体处理，

在所述等离子体分布调整方法中，为了降低所述金属窗的电位，将所述多个金属窗分别通过一个接地点经由在金属部件之间夹有电阻元件的导电性部件接地。

12.如权利要求11所述的等离子体分布调整方法，其特征在于：

所述多个金属窗中至少一个金属窗还通过另一个接地点接地，由此通过两个接地点接地。

13.如权利要求12所述的等离子体分布调整方法，其特征在于：

通过调整所述两个接地点的间隔来调整在所述一个金属窗的所述两个接地点之间流过的电流。

14.如权利要求11所述的等离子体分布调整方法，其特征在于：

将所述多个金属窗中相邻的两个金属窗经由电容器连接，并且将分别设置于所述两个金属窗的接地点电连接而形成电流环电路。

15.如权利要求14所述的等离子体分布调整方法，其特征在于：

对所述电容器的电容进行调整，使得所述电流环电路的电抗成为负性。