[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法有效
申请号: | 201410319167.4 | 申请日: | 2014-07-04 |
公开(公告)号: | CN104282520B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/505 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属窗 等离子体处理装置 等离子体生成区域 等离子体 高频天线 绝缘 绝缘体 感应耦合等离子体 等离子体处理 等离子体分布 感应耦合型 分布调整 主体容器 接地 对基板 接地点 溅射 配置 | ||
本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括:在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11);和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间,与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a~30d),使这些金属窗(30a~30d)各自通过一个接地点接地。
技术领域
本发明涉及对液晶显示装置等的平板显示器(FPD:flat panel display)所使用的玻璃基板等基板实施等离子体处理的感应耦合型的等离子体处理装置和该等离子体处理装置中的等离子体分布调整方法。
背景技术
在液晶显示装置等的制造工序中,为了对玻璃基板实施规定的处理,使用等离子体刻蚀装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。作为这种等离子体处理装置,具有能够获得高密度的等离子体的感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma;ICP)处理装置。
感应耦合等离子体处理装置利用电介质窗分隔收纳被处理基板的处理室和配置在该处理室的上方的天线室,在天线室配置高频天线,对处理室内供给处理气体并且对高频天线供给高频电力,由此在处理室内产生感应耦合等离子体,利用所产生的感应耦合等离子体对被处理基板实施规定的等离子体处理。
此处,近来,被处理基板的尺寸正在大型化,例如列举LCD用的矩形形状玻璃基板为例时,短边×长边的长度从约1500mm×约1800mm的尺寸增大到约2200mm×约2400mm的尺寸,进而增大到约2800mm×约3000mm的尺寸,其大型化很显著。如上述方式被处理基板等大型化时,处理室和天线室需要进行大型化,随之需要使电介质窗大型化。为了应对这种需求,提出了使用由非磁性金属材料构成的金属窗替代电介质窗来增加强度,由此应对被处理基板的大型化的技术。
该技术具有与使用下述电介质窗的情况不同的机制,该电介质窗中,由流过高频天线的电流在金属窗的上表面产生涡电流,该涡电流成为通过金属窗侧面和下表面回到上表面的环电流,由流经金属窗的下表面的电流在处理室内形成感应电场(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-29584号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而,基于上述现有技术的应对方案中存在如下的问题:由于在金属窗中产生的电位而使得金属窗被由等离子体进行的溅射削落,导致使用寿命变短。另外,仅通过金属窗的形状设计不容易改善每一个金属窗中产生的涡电流的强度的分布,需要能够调整等离子体的强度分布的技术。
本发明的目的在于,提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够实现等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置和基于该等离子体处理装置的等离子体分布调整方法。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题,本发明的第一方面的等离子体处理装置其用于对基板进行等离子体处理,上述等离子体处理装置的特征在于,包括:用于在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线;和配置在上述等离子体生成区域与上述高频天线之间,与主体容器绝缘的金属窗,其中,上述金属窗由利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗构成,上述多个金属窗分别通过一个接地点接地。
第二方面的等离子体处理装置,其特征在于:在第一方面的等离子体处理装置中,上述一个接地点设置于上述多个金属窗各自的外周侧或内周侧的边的大致中央。
第三方面的等离子体处理装置,其特征在于:在第一方面或第二方面的等离子体处理装置中,上述一个接地点经由电阻接地。
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