[发明专利]一种加热腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种加热腔室，用于实现对晶片进行均匀加热，所述加热腔室包括多个加热区域和与所述加热区域一一对应的加热单元，其特征在于，还包括驱动单元、检测单元、控制单元和与所述加热单元一一对应的调节单元，其中

所述驱动单元用于驱动所述检测单元在平行于所述晶片的平面内移动，并实时将所述检测单元的位置信号发送至控制单元；所述多个加热区域为沿所述晶片的径向划分的多个互为同心的区域，所述驱动单元用于驱动所述检测单元沿所述晶片的径向移动；

所述检测单元用于在其移动的过程中实时检测所述晶片上对应多个所述加热区域的温度，并将所述温度发送至控制单元；

所述控制单元用于根据所述驱动单元发送的位置信号判断所述检测单元发送的温度属于的加热区域，并判断该温度与预设温度是否存在偏差，若是，调节该温度属于的加热区域所对应的所述调节单元，以校准对应的所述加热单元的输出功率。

2.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述驱动单元用于驱动所述检测单元在所述晶片的半径范围内移动。

3.根据权利要求1或2所述的加热腔室，其特征在于，所述驱动单元包括驱动电机、丝杠和滑块，其中，所述丝杠沿着所述晶片的径向设置，所述滑块设置在所述丝杠上，所述检测单元设置在所述滑块上；所述驱动电机的驱动轴与所述丝杠相连接，驱动所述丝杠旋转以使所述滑块在所述丝杠上沿所述晶片的径向进行移动，从而带动所述检测单元沿所述晶片的径向移动。

4.根据权利要求1-2任意一项所述的加热腔室，其特征在于，每个所述加热单元用于对与之对应的所述加热区域均匀加热。

5.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述驱动单元设置在所述加热腔室的底壁下方，并且，所述底壁上与所述检测单元移动路径对应的区域安装有透明窗。

6.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述驱动单元固定在所述加热腔室的底壁上。

7.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述检测单元包括红外温度传感器。

8.根据权利要求7所述的加热腔室，其特征在于，所述检测单元在其移动的过程中，所述红外温度传感器的聚焦平面和所述晶片在同一平面上。

9.一种半导体加工设备，包括加热腔室，所述加热腔室用于对位于所述加热腔室内的晶片均匀加热，其特征在于，所述加热腔室采用权利要求1-8任意一项所述的加热腔室。