[发明专利]细胞培养微沟道中注入溶液的方法以及贴壁细胞培养方法有效

专利信息
申请号: 201410342000.X 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN104099248A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 陈健;卫元晨;陈峰;张韬;陈德勇;贾鑫;王军波;郭伟 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: C12M3/04 分类号: C12M3/04;C12N5/077
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 细胞培养 沟道 注入 溶液 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种细胞培养微沟道中注入溶液的方法,其特征在于:

该细胞培养沟道位于一微流控芯片中,包括:形成于微流控芯片内的微沟道本体;以及微沟道本体左右两侧的与外界相连通的液滴入口;

该细胞培养微沟道中注入溶液的方法包括:

步骤B:用两支移液枪吸取不同量的溶液,分别对准两侧的液滴入口,同时向细胞培养微沟道内注入溶液,在两侧液面差的作用下,溶液依靠重力作用流入微沟道本体内。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述细胞培养微沟道呈U型结构;

微沟道本体的纵剖面为矩形,液滴入口的横切面为圆形,其中液滴入口的直径大于微沟道本体的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤B之前还包括:

步骤A:用一支移液枪吸取浸润缓冲液,对准微沟道本体一侧的液滴入口,向细胞培养微沟道内注入浸润缓冲液,使细胞培养微沟道完全被该浸润缓冲液浸润,而后静置预设时间。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤B中,所述浸润缓冲液为磷酸盐缓冲液,所述预设时间至少为1小时。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤B中,其中一支移液枪吸取溶液的量为20μl,另外一支移液枪吸取溶液的量为10μl或15μl。

6.一种贴壁细胞培养方法,其特征在于,基于微流控技术,包括:

步骤A:提供包括若干条细胞培养微沟道的微流控芯片,其中,每一条细胞培养微沟道包括:形成于微流控芯片内的微沟道本体以及微沟道本体两侧的液滴入口;

步骤B:对细胞培养微沟道进行表面修饰,以便于贴壁细胞的接种;

步骤C:将吸壁细胞悬液用培养液调整至预设浓度,用两支移液枪吸取不同量的吸壁细胞悬液,分别对准左右两侧的液滴入口,同时向细胞培养微沟道内注入吸壁细胞悬液,在两侧液面差的作用下,吸壁细胞悬液依靠重力作用流入微沟道本体内;以及

步骤D:在细胞培养微沟道内对吸壁细胞进行培养,每间隔预设时间,用移液枪吸出每个液滴入口处的培养液,并用两支移液枪在两端的液滴入口同时滴入新鲜的培养液。

7.根据权利要求6所述的贴壁细胞培养方法,其特征在于,所述步骤B包括:

子步骤B1:对微流控芯片进行紫外光照射灭菌;

子步骤B2:用移液枪对准细胞培养微沟道一侧的液滴入口,向其中注入磷酸盐缓冲液,使细胞培养微沟道完全浸润,而后静置至少1小时;

子步骤B3:用移液枪将液滴入口处的磷酸盐缓冲液吸出;

子步骤B4:用两支移液枪吸取不同量的含有修饰分子的溶液,分别对准两侧的液滴入口,同时向细胞培养微沟道内注入含有修饰分子的溶液;

子步骤B5:静置预设时间,使溶液中的修饰分子沉降于细胞培养微沟道底面,形成修饰层;以及

子步骤B6:用两支移液枪吸取不同量的培养液,分别对准细胞培养微沟道左右两侧的液滴入口,同时注入培养液,静置至少1小时,而后吸出培养液。

8.根据权利要求6所述的贴壁细胞培养方法,其特征在于,所述贴壁细胞为VSMC细胞。

9.根据权利要求8所述的贴壁细胞培养方法,其特征在于,所述步骤D之后还包括:

步骤E,对细胞培养微沟道内的VSMC细胞进行α肌动蛋白的细胞免疫染色。

10.根据权利要求9所述的贴壁细胞培养方法,其特征在于,所述步骤E的染色步骤包括:

用移液枪分别吸出液滴入口中所有溶液;

用两支移液枪吸取不同量的目标溶液,分别对准细胞培养微沟道左右两侧的液滴入口,同时向细胞培养微沟道内注入目标溶液。

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