[发明专利]一种氮化物半导体的制备方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体的制备方法，包括以下步骤：

步骤一：提供一衬底，利用物理气相沉积法（PVD法）在所述衬底上沉积一AlN层，形成第一缓冲层；

步骤二：在所述AlN层上利用化学气相沉积法（CVD）沉积一Al_xIn_yGa_1-x-yN（0<x≤1，0≤y≤1）层，形成第二缓冲层；所述第二缓冲层与所述第一缓冲层组合构成底层；

步骤三：在所述底层上利用化学气相沉积法沉积n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述第二步骤与第三步骤沉积方式相同，均为金属有机化学气相沉积（MOCVD）法。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述形成的第一缓冲层的厚度范围为5埃～350埃。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述形成的第二缓冲层的厚度范围为5埃～1500埃。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述第二缓冲层的生长温度范围为400～1150℃。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述步骤三中形成的n型氮化镓层为n型掺杂氮化镓层或无掺杂氮化镓层与n型氮化镓层之组合层。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述形成的底层为无掺杂或掺杂有n型或p型杂质。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述n型杂质为硅或锡。

9.根据权利要求7所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述p型杂质为锌或镁或钙或钡的其中一种。

10.根据权利要求7所述的氮化物半导体的制备方法，其特征在于：所述n型或p型杂质的浓度范围为10¹⁷~10²⁰/cm³。