[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201410363150.9 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN104143520B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 桥诘彰夫;赤西勇哉;川口贤士;山本学 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
密闭腔室,其具有筒状的分隔壁和盖部件,所述分隔壁具有上部开口且用于划分与所述上部开口相连通的内部空间,所述盖部件用于开闭所述上部开口,所述密闭腔室在由所述盖部件使所述上部开口闭塞的状态下实现所述内部空间的密闭状态;
基板保持旋转单元,其在所述密闭腔室的内部空间内,一边保持基板一边使该基板旋转;
喷嘴,其在所述密闭腔室的内部空间内,向所述基板保持旋转单元所保持的基板的主面喷出处理液;
喷嘴臂,其支撑所述喷嘴,而且,经由形成在所述密闭腔室的所述分隔壁上且位于所述上部开口的下方的贯通孔,在所述密闭腔室的内外延伸;
驱动单元,其配置在所述密闭腔室外,在所述内部空间的所述密闭状态下,用于使所述喷嘴臂沿所述基板保持旋转单元所保持的基板的主面移动。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述喷嘴臂呈沿着规定的基准线的形状,所述规定的基准线沿着所述基板保持旋转单元所保持的基板的主面延伸;
所述贯通孔沿着所述密闭腔室的分隔壁上的所述基准线形成;
所述驱动单元使所述喷嘴臂沿所述基准线移动。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基准线为直线,
所述驱动单元包括使所述喷嘴臂沿所述基准线进行直线运动的直线驱动单元。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述直线驱动单元包括:
驱动臂,其连接在所述喷嘴臂上,并能够变换连接位置;
摆动驱动单元,其使所述驱动臂围绕与所述基准线垂直的规定的摆动轴线摆动。
5.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基准线呈圆弧状,
所述驱动单元包括使所述喷嘴臂沿所述基准线进行圆弧运动的圆弧驱动单元。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还包括用于密封所述喷嘴臂与所述密闭腔室的所述分隔壁之间的密封结构。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述密封结构包括:
液体密封结构,其用液体密封所述喷嘴臂与所述密闭腔室的所述分隔壁之间;
气体密封结构,其用气体密封所述喷嘴臂与所述密闭腔室的所述分隔壁之间。
8.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述气体密封结构配置在与所述液体密封结构相比更靠近所述密闭腔室的内部空间一侧的位置。
9.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,所述驱动单元,通过使所述喷嘴臂从待机位置向处理液喷出位置移动,使所述喷嘴沿所述基板保持旋转单元所保持的基板的主面移动。
10.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴臂呈直线形状。
11.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴臂呈圆弧形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造