[发明专利]具电性连接结构的基板及其制法有效

专利信息
申请号: 201410408637.4 申请日: 2014-08-19
公开(公告)号: CN105023906B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 吴柏毅;杨侃儒;黄晓君;庄建隆;马光华;卢俊宏 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 钝化层 电性接触垫 第一金属层 连接结构 具电性 基板 制法 第二金属层 凸出 晶种层 蚀刻 底切结构 蚀刻液 外露 板体 移除 埋设 侵蚀
【说明书】:

一种具电性连接结构的基板及其制法,具电性连接结构的基板的制法,先提供一具有电性接触垫、设于其表面上且对应外露该电性接触垫的第一及第二钝化层的板体,再形成晶种层于该第二钝化层与该电性接触垫上。接着,形成第一金属层于该电性接触垫上且埋设于该第一与第二钝化层中,而未凸出该第二钝化层,再形成第二金属层于该第一金属层上且凸出该第二钝化层,以于之后蚀刻移除该第二钝化层上的晶种层时,蚀刻液不会侵蚀该第一金属层,因而该第二金属层下方不会产生底切结构。

技术领域

发明涉及一种具电性连接结构的基板,尤指电性接触垫与导电凸块间的结合性改良。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于晶片封装领域的技术,例如晶片尺寸构装(Chip Scale Package,CSP)、晶片直接贴附封装(Direct Chip Attached,DCA)或多晶片模组封装(Multi-Chip Module,MCM)等覆晶型态的封装模组、或将晶片立体堆叠化整合为三维积体电路(3D IC)晶片堆叠技术等。

目前三维积体电路(3D IC)晶片堆叠技术,通过于封装基板与半导体晶片之间增设一硅中介板(Silicon interposer),使该封装基板可结合具有高布线密度电极垫的半导体晶片,而达到整合高布线密度的半导体晶片的目的。

图1A至图1E为现有硅中介板1的制法的剖面示意图。

如图1A所示,提供一具有相对的第一表面10a与第二表面10b的硅板体10,该硅板体10中具有连通该第一表面10a与第二表面10b的多个导电穿孔100、及设于该第一表面10a与该导电穿孔100上的多个电性接触垫101。

接着,形成一钝化层11于该硅板体10的第一表面10a上,且该钝化层11外露出各该电性接触垫101的部分表面。

接着,形成一晶种层(seed layer)13于该钝化层11与各该电性接触垫101上,再形成一电镀铜层12于该晶种层13上,且该晶种层13的材质为钛/铜。

接着,形成一阻层14于该电镀铜层12上,且该阻层14未覆盖对应各该电性接触垫101的位置上的电镀铜层12。

接着,形成多个金属部15于该未覆盖该阻层14的电镀铜层12上,且该金属部15由一铜层150、一镍层151、一金层152所构成,该铜层150结合至该电镀铜层12上,而该镍层151结合至该铜层150上,使该金层152为最外层。

如图1B所示,移除该阻层14及其下方的电镀铜层12。

如图1C所示,利用该镍层151与金层152作为蚀刻挡层,以蚀刻移除位于该金属部15周围的晶种层13,使该金属部15电性连接各该电性接触垫101。

如图1D所示,于该硅板体10的第二表面10b上进行线路重布层(Redistributionlayer,RDL)制程,即先将该硅板体10的第一表面10a及金属部15藉由粘着层160结合至一承载件16上,再形成一线路重布结构17于该硅板体10的第二表面10b上,且该线路重布结构17电性连接该导电穿孔100。

如图1E所示,利用隐形切割(stealth dicing,SD)方式进行切单制程,之后再移除该承载件16与该粘着层160,以获取多个硅中介板1。具体地,先于该硅板体10内以雷射扫瞄形成内嵌切割线(即隐形切割),再从该承载件16之处向上顶升,使该硅板体10沿该内嵌切割线断裂,而形成多个硅中介板1,之后提供热风予该粘着层160,使该粘着层160受热扩张而呈紧绷状,即可取出各该硅中介板1,以完成切单制程。

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