[发明专利]一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法在审
申请号: | 201410410397.1 | 申请日: | 2014-08-20 |
公开(公告)号: | CN104332389A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 钟旻 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/336 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浓度 沟道 制备 方法 | ||
1.一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于,在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅,通过氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅,再去除表面的二氧化硅,形成高锗浓度的锗硅作为沟道。
2.如权利要求1所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的低锗浓度的锗硅的制备方法是外延,化学气相沉积,物理气相沉积和原子层沉积。
3.如权利要求1所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的低锗浓度的锗硅的制备温度为25℃~600℃。
4.如权利要求1所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的低锗浓度的锗硅中锗浓度为0.1%~20%,制备的锗硅厚度0.1~40纳米。
5.如权利要求1所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述将低锗浓度锗硅转化为高锗浓度的氧化,氧化温度为300℃~600℃,氧化反应气体为氧气或水汽,氧化时间为5~100分钟。
6.如权利要求5所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述氧化形成的高锗浓度锗硅中锗的浓度为25%~50%。
7.如权利要求1所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的高锗浓度的锗硅中锗浓度分布为整体均匀的矩形分布或从表面往里浓度递减的梯形分布。
8.如权利要求1所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的去除表面的二氧化硅的方法是刻蚀或化学机械抛光。
9.如权利要求8所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的刻蚀是湿法刻蚀或干法刻蚀。
10.如权利要求9所述的高锗浓度锗硅沟道的制备方法,其特征在于所述的湿法刻蚀采用稀氢氟酸溶液为腐蚀药液,浓度为0.1%~30%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造