[发明专利]一种廉价无序宽谱广角减反结构及其制作方法

权利要求书

1.一种廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

s1、在基底材料表面沉积介质膜；

s2、在所述介质膜表面形成金属胶体薄膜；

s3、对所述金属胶体薄膜进行热处理，获得金属纳米结构；

s4、以所述金属纳米结构为掩膜对所述介质膜进行刻蚀，形成减反结构；

s5、去除金属纳米结构。

2.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述基底材料为半导体、绝缘体、导体或者它们的堆叠组合；以及有机材料或无机材料或者他们的组合。

3.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述金属胶体薄膜为金、银、铜、铁、铝、铂、钛、镍胶体薄膜或者它们其中几个的共溶体。

4.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述介质膜的材质为SiO₂、SiN、TiO₂、Al₂O₃、HfO₂、SiNO、ZnO、ZnS、MgF中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述步骤s3中，热处理的方法包括热板加热、快速热退法、加热箱烘烤、微波加热、光加热或磁加热。

6.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述步骤s3中，热处理的温度为100~650℃。

7.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述步骤s2中，采用稀释剂和金属胶体进行混合，获得稀释的金属胶体溶液，然后将其涂于所述介质膜表面形成金属胶体薄膜。

8.根据权利要求7所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述稀释剂为表面活性剂、乙醇或者其他羟基有机溶液。

9.根据权利要求7所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述金属有机溶液为溶度为10%-90%wt%的金属墨水。

10.根据权利要求1所述的廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法，其特征在于：所述金属胶体薄膜的厚度为20nm~1000nm。

11.一种廉价无序宽谱广角减反结构，其特征在于，包括基底材料、以及形成于所述基底材料上且具有无序纳米结构的减反层，所述减反层上分布有金属纳米结构。