[发明专利]一种保持MOS管阈值电压恒定的电路及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种保持MOS管阈值电压恒定的电路及方法。

背景技术

在CMOS集成电路设计中，MOS管的阈值电压会随着工艺角和温度发生较大的变化。阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的栅极电压。对于n沟道MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子(电子)浓度就等于体内的多数载流子浓度(～掺杂浓度)；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。阈值电压VT包含有三个部分的电压(不考虑衬偏电压时)：栅氧化层上的电压降Vox；半导体表面附近的电压降2ΨB：抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降——平带电压VF。

Vox=2ϵsqNA(2ψB)Cox]]>

2ψB=2·(Ei-EFq)≈2kTq·1n(NAni)]]>

VFB=Φms-QfCox]]>