[发明专利]具有交换偏置效应的钒铁氧体-铁酸铋多铁复合薄膜及制备方法在审
申请号: | 201410619184.X | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN104451543A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 金朝;王丽艳;郑东兴;白海力 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35;H01F10/18;H01F10/32;H01F41/18 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 交换 偏置 效应 铁氧体 铁酸铋多铁 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种具有交换偏置效应的钒铁氧体-铁酸铋多铁复合薄膜,其特征是薄膜结构式为:BiFeO3-Fe3-xVxO4,其中0.1≤x≤0.6。
2.权利要求1所述多铁复合薄膜的制备方法,其特征是步骤如下:
(1)磁控溅射法制备BiFeO3外延薄膜;
(2)反应溅射法生长Fe3-xVxO4外延薄膜,0.1≤x≤0.6;
(3)制备BiFeO3-Fe3-xVxO4复合薄膜。
3.如权利要求1所述的方法,其特征是磁控溅射法制备BiFeO3外延薄膜条件为:
(1)选择10%Bi过量的靶材,基底温度600~700℃;氧气与氩气比:(4.0~10.0):100;溅射压强为0.5~1.5Pa;溅射速率:1.8纳米/分;
(2)BiFeO3外延薄膜厚度10~30纳米,基底选择SrTiO3单晶基片。
4.如权利要求1所述的方法,其特征是反应溅射法生长Fe3-xVxO4外延薄膜条件为:
(1)采用三靶磁控溅射装置,在两个直流溅射靶头上分别安装金属纯度为99.99%的Fe靶和纯度为99.99%的V靶,溅射装置三靶都向上方正中心的样品位置倾斜,与水平面的夹角约60度;
(2)将单晶基底放置于样品架位置,加热温度450℃;通入溅射氧气与氩气的范围:(1.6~4.0)/100,溅射压强2.0Pa;
(3)开启溅射电源,在Fe靶上施加0.2A的电流和360V的直流电压,V靶上施加0.04~0.16A和360V的直流电压;薄膜生长速率8纳米/分;
(4)控制Fe3-xVxO4外延薄膜厚度5~30纳米,关闭溅射电源。
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