[发明专利]一种常压化学气相沉积镀膜反应器

权利要求书

1.一种常压化学气相沉积镀膜反应器，包括内部设有混气室的反应器主体，其特征在于，所述的混气室平铺在沉积基底或玻璃带上方，混气室底部设有导热板，所述导热板上设有作为反应器镀膜喷嘴的狭缝；

与混气室连通的进气管和狭缝分别位于混气室的两对侧，所述的混气室为沿气流方向逐渐扩宽的广口状，混气室内还装有混流挡板，所述的混流挡板间具有迂回的气流通道。

2.如权利要求1所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述混气室上方覆盖有保温层，所述的导热板为钢板。

3.如权利要求1所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述狭缝的出口处沿狭缝方向布置带倒角的长条状石墨挡块，用于限制反应气流的走向。

4.如权利要求1所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述混气室内布置束流挡板，用于形成广口状的混气室。

5.如权利要求1所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述的混流挡板为横向交替安装且具有齿状结构的混流挡板。

6.如权利要求1～5任一项所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述混气室为对称布置的两个，分布在沉积基底或玻璃带移动方向的上下游，其中一个为进气腔，另一个为排气腔。

7.如权利要求6所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述混气室沿沉积基底或玻璃带前进方向的长度为20mm-100mm，镀膜反应器两条镀膜喷嘴狭缝之间的距离在40mm-220mm。

8.如权利要求6所述的常压化学气相沉积镀膜反应器，其特征在于，所述镀膜反应器的工作温度区间为350℃-650℃，镀膜反应器下表面距离沉积基底或玻璃带上表面2mm-25mm。