[发明专利]一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法

权利要求书

1.一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，包括：

(1)将氧化镉溶解于溶剂中，氮气保护，300℃搅拌，得到镉前躯体溶液；

(2)将硒溶解于溶剂中，室温搅拌，得到硒前躯体溶液；

(3)将镉前躯体溶液和硒前躯体溶液混合，通入聚四氟乙烯毛细管中，通过油浴，反应，然后洗涤、离心，分散，即得；其中硒前躯体溶液和镉前躯体溶液的体积比为10:1～1:10。

2.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(1)中溶剂为1-十八烯和油酸的混合溶液。

3.根据权利要求2所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述1-十八烯和油酸的体积比为1:2-1:10。

4.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(1)中镉前躯体溶液的浓度为0.1-1.0mmol/mL。

5.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(2)中溶剂为三辛基膦TOP。

6.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(2)中硒前躯体溶液的浓度为0.1-1.0mmol/mL。

7.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(3)中反应温度为200-250℃，反应时间为2s-200s。

8.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(3)中洗涤为用丙酮洗涤1-5次，离心转速为6000-9000r/min，离心时间20-25min。

9.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述步骤(3)中分散为：分散在甲苯或正己烷中。

10.根据权利要求1所述的一种微流体合成发光性能可控的CdSe裸核量子点的方法，其特征在于：所述CdSe量子点的发射波长在485nm～610nm，量子产率达48％～87％，半高宽为17nm～30nm。