[发明专利]一种低压电源产生电路、方法及集成电路有效
申请号: | 201410803282.9 | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN105786069B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 崔海良 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;孟桂超 |
地址: | 518085 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 电源 产生 电路 方法 集成电路 | ||
1.一种低压电源产生电路,其特征在于,所述电路包括:高压LDO电路、启动电路及低压带隙基准电路;其中,
所述启动电路,用于在所述低压电源产生电路的启动阶段,为所述低压带隙基准电路提供电源;
所述低压带隙基准电路,用于利用所述启动电路提供的电源,向所述高压LDO电路输出相应的基准电压,以使所述高压LDO电路正常启动;
其中,所述启动电路,具体用于:在所述低压带隙基准电路输出稳定的基准电压之前,确定所述高压LDO电路输出的电压小于所述启动电路自身输出的电压时,为所述低压带隙基准电路提供电源;在所述低压带隙基准电路输出稳定的基准电压之后,确定所述高压LDO电路输出的电压大于或等于所述启动电路自身输出的电压时,停止为所述低压带隙基准电路提供电源。
2.根据权利要求1所述的低压电源产生电路,其特征在于,所述启动电路,还用于当所述高压LDO电路正常工作后,停止为所述低压带隙基准电路提供电源;
相应地,所述高压LDO电路,用于当所述启动电路停止为所述低压带隙基准电路提供电源时,为所述低压带隙基准电路提供电源。
3.根据权利要求2所述的低压电源产生电路,其特征在于,所述启动电路,具体用于:确定所述高压LDO电路输出的电压大于或等于所述启动电路自身输出的电压时,停止为所述低压带隙基准电路提供电源。
4.根据权利要求3所述的低压电源产生电路,其特征在于,所述高压LDO电路包括:放大器、第一PMOS、第一电阻、第二电阻以及第三电阻;所述启动电路包括:第一NMOS、第二NMOS、第三、第四NMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第四电阻以及稳压二极管;
在所述高压LDO电路中,放大器的负输入端连接所述低压带隙基准电路的输出端,正输入端连接第一电阻的一端及第二电阻的一端,放大器的输出端接连接第一PMOS的栅极;第一PMOS的源极连接输入高压电源,漏极连接第一电阻的另一端、所述启动电路中的第二PMOS的漏极以及所述低压带隙基准电路的输入端;第二电阻的另一端连接第三电阻的一端及所述启动电路中的第四NMOS的栅极;第三电阻的另一端接地;
在所述启动电路中,第四电阻的一端连接输入高压电源,另一端连接第一NMOS的栅极和漏极、第二NMOS的栅极以及第三NMOS的栅极,第一NMOS的源极接地;第二NMOS的源极接地,第二NMOS的漏极接第四NMOS的源极;第三NMOS的源极接地,第三NMOS的漏极连接第三PMOS的漏极、稳压二极管的正极、以及第二PMOS的栅极;第四NMOS的漏极连接第三PMOS的栅极、以及第四PMOS的栅极和漏极;第二PMOS的源极连接输入高压电源;稳压二极管的负极连接输入高压电源;第三PMOS的源极连接输入高压电源;第四PMOS的源极连接输入高压电源。
5.根据权利要求4所述的低压电源产生电路,其特征在于,第一PMOS的漏极与地之间还连接有第一电容;第一PMOS的漏极与第三电阻的一端之间还连接有第二电容。
6.一种集成电路,其特征在于,所述集成电路包括如权利要求1至5任一项所述的低压电源产生电路。
7.一种低压电源产生方法,其特征在于,所述方法包括:
在低压电源产生电路的启动阶段,所述低压电源产生电路的启动电路为所述低压电源产生电路的低压带隙基准电路提供电源;
所述低压带隙基准电路利用所述启动电路提供的电源,向所述低压电源产生电路的高压LDO电路输出相应的基准电压,以使所述高压LDO电路正常启动;其中,在所述低压电源产生电路的启动阶段,所述低压电源产生电路的启动电路为所述低压电源产生电路的低压带隙基准电路提供电源,为:
所述启动电路在所述低压带隙基准电路输出稳定的基准电压之前,确定所述高压LDO电路输出的电压小于所述启动电路自身输出的电压时,为所述低压带隙基准电路提供电源;在所述低压带隙基准电路输出稳定的基准电压之后,确定所述高压LDO电路输出的电压大于或等于所述启动电路自身输出的电压时,停止为所述低压带隙基准电路提供电源。
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