[实用新型]双列直插封装的框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种双列直插封装技术中使用的框架。

背景技术

一般情况下，双列直插封装（DIP）形式的半导体产品使用平形框架，芯片通过焊料焊接在底部金属基岛上，基岛从封装底部外露散热。

这种封装形式的散热完全依靠晶粒自身来绝缘，对晶粒的绝缘性要求高，且贴附晶粒的基岛面积较小，基岛主要起到均匀晶粒的温度外，实际的散热性能较差。且芯片与内引脚之间使用金线或铝线连接，金线或铝线受直径限制，导热能力不足。

鉴于上述缺陷，本发明人经过长时间的研究和实践终于获得了本发明创造。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种提高散热效果的双列直插封装的框架。

本实用新型的一种双列直插封装的框架，包括基岛、芯片与内引脚，基岛为平板状，内引脚连接到基岛，所述芯片安装到所述基岛上；

所述内引脚与所述基岛的平板面之间具有夹角，所述内引脚与所述基岛为一体成型。

作为一种可实施方式，所述芯片与所述基岛以焊接方式固定。

作为一种可实施方式，所述内引脚与所述基岛的材质为铜。

作为一种可实施方式，所述的双列直插封装的框架还包括散热片；

所述散热片设置在所述基岛上焊接所述芯片的另一侧平面上；

所述散热片与所述基岛以树脂粘接方式固定。

作为一种可实施方式，所述散热片的材质为铜。

作为一种可实施方式，所述树脂为高导热材料。

作为一种可实施方式，所述树脂完全覆盖在所述基岛设置所述散热片的平面上。

与现有技术比较本实用新型的有益效果在于：双列直插封装的框架中的内引脚与基岛形成一个整体，减少了传热距离，增大了热传递方向的垂直面积，从而提高了散热效果。

附图说明

图1为本实用新型的双列直插封装的框架的截面示意图；

图2为本实用新型的双列直插封装的框架的左视示意图；

图3为本实用新型的双列直插封装的框架的主视示意图。

具体实施方式

为了解决散热较差的问题，提出了一种双列直插封装的框架来提高散热效果。

以下结合附图，对本实用新型上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

请参阅图1所示，其为本实用新型的双列直插封装的框架的截面示意图，本实用新型的一种双列直插封装的框架100包括基岛110、芯片120与内引脚130。

基岛110为平板状，内引脚130连接到基岛110，芯片120安装到基岛110上。

请参阅图2所示，其为本实用新型的双列直插封装的框架的左视示意图，内引脚130与基岛110的平板面之间具有夹角，内引脚130通过折弯方式形成夹角，内引脚130与基岛110为一体成型。

双列直插封装的框架100的芯片120在导热过程中传递的热量按照Fourier导热定律计算：Q=λA(Th-Tc)/δ，

其中，A为芯片120与基岛110的接触面积，单位为m2；Th与Tc分别为芯片120与基岛110的温度；δ为芯片120与基岛110之间的距离，单位为m；λ为芯片的导热系数，单位为W/(m×℃）。

内引脚130与基岛110形成一个整体，减少了芯片120与基岛110之间的距离δ，增大了芯片120与基岛110的接触面积A，从而提高了散热效果。

如图1所示，内引脚130与芯片120之间使用铝线160或金线170进行连接。

作为一种可实施方式，芯片120与基岛110以焊接方式固定。芯片120与基岛110贴合的面上无绝缘层。

作为一种可实施方式，内引脚130与基岛110的材质为铜，铜的散热能力较强，能提高导热系数。

作为一种可实施方式，双列直插封装的框架100还包括散热片140。

散热片140设置在基岛110上焊接芯片120的另一侧平面上，散热片140与基岛110以树脂150粘接方式固定。树脂150的厚度很薄，δ值较小。

散热片140的表面平整，在需要额外增加散热器时，芯片120的热量可以直接通过散热片140传导到散热器上，消除了封装材料与空气的热阻，热量的传导更为顺畅。

作为一种可实施方式，散热片140的材质为铜，铜的散热能力较强。

作为一种可实施方式，树脂150为高导热材料。

作为一种可实施方式，树脂150完全覆盖在基岛110设置散热片140的平面上。