[实用新型]一种湿法刻蚀机及其刻蚀槽有效
| 申请号： | 201420420427.2 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN203967049U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吴成新;李建朋;李永洋;王海涛;王月超;梁楠楠;康莹 | 申请（专利权）人： | 天津英利新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种湿法刻蚀机的刻蚀槽，包括工艺槽(102)和溢流槽(103)，所述工艺槽(102)底部设有注液管道(6)，所述溢流槽(103)底部设有回流管道(7)；其特征在于，所述工艺槽(102)的数量为至少两个，各所述工艺槽(102)之间设置至少一个所述溢流槽(103)，所述刻蚀槽(1)的两端分别为所述溢流槽(103)。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀机的刻蚀槽，其特征在于，各所述工艺槽(102)之间设置一个所述溢流槽(103)。
3.如权利要求2所述的湿法刻蚀机的刻蚀槽，其特征在于，所述工艺槽(102)的宽度大于所述溢流槽(103)的宽度。
4.如权利要求3所述的湿法刻蚀机的刻蚀槽，其特征在于，各所述工艺槽(102)的宽度相等。
5.如权利要求4所述的湿法刻蚀机的刻蚀槽，其特征在于，各所述溢流槽(103)的宽度相等。
6.一种湿法刻蚀机，包括刻蚀槽(1)和储液罐(5)，所述刻蚀槽(1)和所述储液罐(5)之间设有注液管道(6)和回流管道(7)，其特征在于，所述刻蚀槽(1)为权利要求1至5任一项所述的刻蚀槽(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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