[实用新型]一种具有多粗化层的红外发光二极管有效
| 申请号： | 201420449785.6 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN204102927U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;杨凯;蔡建九;白继锋;卓祥景;姜伟;刘碧霞 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多粗化层 红外 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。
2.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：在粗化层与发光结构之间还形成粗化截止层。
3.如权利要求2所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：粗化截止层的材料包括AlGaInP三五族化合物。
4.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：N层粗化层的厚度d为1.5≤d≤4μm。
5.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：所述N层粗化层的厚度呈阶梯式递增，且邻近发光结构的厚度最大。
6.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：每一层粗化层的单层厚度ds≥300nm。
7.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管，其特征在于：在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极。
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