[实用新型]Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件有效

专利信息
申请号: 201420508516.2 申请日: 2014-09-04
公开(公告)号: CN204993935U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 王晨;王克政 申请(专利权)人: 王晨;王克政
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 佛山东平知识产权事务所(普通合伙) 44307 代理人: 詹仲国
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: re alsic 稀土 碳化硅 led 电路 光源 器件
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及大功率LED电光源技术领域,更具体的是涉及一种用途广泛的高效大功率LED电光源组件。

背景技术

在我国确立的可持续发展战略中,涉及到的两个重要方面是,新型能源、光源、环境保护和提高能量利用率,改善能量结构。在LED电光源领域中,新型的电光源元件要求,功率要大,光效率要高,抗热冲击能力要强,易于加工,绿色环保、安全可靠。能满足上述要求的Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED用稀土厚膜电路电光源组件,是较好的选择。目前这种大功率电光源组件国内外都处于初期开发、使用阶段。

二十世纪初,在阳极化铝板上制备厚膜电路用于太阳能电池、LED基板,用于直流低电压,获得成功。由于功率小、流明数低、热性能、绝缘性能差、不安全等问题,无法用于大功率LED电光源。研制一种工艺性好,高强度、高亮度的用于工业、家用电器、军事工业的大功率、高亮度、LED电光源产品,目前还存在如下问题:

1、需要提高LED芯片封装基板的导热性能;

2、Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED用稀土厚膜电路专用系列电子浆料;

3、提高完善Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路制备工艺技术。

经查证,专业应用于Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路系统的电子浆料,国内外尚未见报道。

专利号:CN101364454A,CN101740160A公布的电阻浆料、介质浆料仅适合于集成电路模块、太阳能电池和LED铝基板。

发明内容

本实用新型的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种不仅成本低、热效率高、热性能优良、高强度、大功率、易成型,适用于Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路基板材料。

本实用新型是采用如下技术解决方案来实现上述目的:一种Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件,其特征在于,它包括基板和以厚膜电路的形式制备在基板上的系列稀土电子浆料层,系列稀土电子浆料层由最外层的包封浆料层、中间层的稀土介质浆料层和最内层的稀土电阻浆料与稀土电极浆料层;基板上的厚膜电路设置有正、负极触点和沿厚膜电路依次串联设置的多个LED芯片。

作为上述方案的进一步说明,所述厚膜电路为水平设置在基板上的呈凹字型的电路,正、负极触点之间设置有一定间隔,凹字型的电路两侧分别串接两LED芯片,中间凹为串接一LED芯片。

所述基板为Re-alsic-稀土-铝碳化硅基板。

本实用新型采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是:

本实用新型采用带有稀土厚膜电路的基板作为LED光源器件的基板、结构稳定性、抗腐蚀性能均明显提高,并可避免高温下长期工作时易产生的脆化现象,并且LED稀土厚膜电路的浆料的相容性、湿润性、热性能、电性能、光性能、工艺性、适应性有显著改进提高。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

附图标记说明:1、基板2、厚膜电路3、触点4、LED芯片。

具体实施方式

如图1所示,本实用新型一种Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件,它包括基板1和以厚膜电路2的形式制备在基板上的系列稀土电子浆料层,系列稀土电子浆料层由最外层的包封浆料层、中间层的稀土介质浆料层和最内层的稀土电阻浆料与稀土电极浆料层;基板1上的厚膜电路设置有正、负极触点3和沿厚膜电路依次串联设置的多个LED芯片4。其中,厚膜电路为水平设置在基板上的呈凹字型的电路,正、负极触点之间设置有一定间隔,凹字型的电路两侧分别串接两LED芯片,中间凹为串接一LED芯片。

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