[实用新型]一种高速大容量FLASH单板存储电路板有效
| 申请号： | 201420630900.X | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN204166522U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 舒德军;吴垒 | 申请（专利权）人： | 南京长峰航天电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210061 江苏省南京市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 容量 flash 单板 存储 电路板 | ||
1.一种高速大容量FLASH单板存储电路板，其特征在于：包括一片第一FPGA、两片第二FPGA、PCI桥芯片和电源电路，第一FPGA通过LVDS差分线分别与两片第二FPGA相连接，第一FPGA、两片第二FPGA分别与PCI桥芯片的本地总线相连接，PCI桥芯片还连接有EEPROM存储芯片，各第二FPGA分别连接有64片NAND LASH存储芯片，两片第二FPGA在物理结构上对称，64片NAND FLASH存储芯片分为8组，每组设有共用数据并联的8片NAND FLASH存储芯片，各第二FPGA还分别连接有NOR LASH存储芯片，所述PCI桥芯片用于连接通信主机。
2.根据权利要求1所述的一种高速大容量FLASH单板存储电路板，其特征在于：第一FPGA为Virtex5 FPGA芯片。
3.根据权利要求1所述的一种高速大容量FLASH单板存储电路板，其特征在于：两片第二FPGA为Spartan6 FPGA芯片。
4.根据权利要求1所述的一种高速大容量FLASH单板存储电路板，其特征在于：所述电源电路为cPCI的背板设有电源插针形式的3.3V、5V、12V、-12V和接地引脚，用于给第一FPGA、两片第二FPGA、PCI桥芯片提供工作电压。
5.根据权利要求1所述的一种高速大容量FLASH单板存储电路板，其特征在于：所述NOR LASH存储芯片用于NAND FLASH存储芯片的坏块信息存储介质。
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