[实用新型]一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置有效
| 申请号： | 201420689689.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN204251691U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;夏申江;屠友明;王芸 | 申请（专利权）人： | 中建材光电装备（太仓）有限公司;中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C03C17/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;徐丹 |
| 地址： | 215434 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 基板上 沉积 形成 半导体 薄膜 装置 | ||
1.一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，包括一真空沉积腔（1）以及设于真空沉积腔（1）内的气相沉积器（2），所述气相沉积器（2）包括一坩锅（21）、盖设于坩锅（21）上敞口的多孔透气膜（22）以及设于坩锅（21）底部的进料分配器（23）；其特征在于：所述气相沉积器（2）还包括一致密外壳（24），该致密外壳（24）套于所述坩锅（21）外，坩锅（21）和致密外壳（24）间留有空间；所述致密外壳（24）的底部设有出气通道（241），所述玻璃基板（3）设于致密外壳（24）的下方与出气通道（241）相对；所述坩锅（21）内腔经多孔透气膜（22）与坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间相通，所述坩锅（21）内受热升华成气相的半导体材料穿过多孔透气膜（22）至坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间，再穿过所述致密外壳（24）底部的出气通道（241）并沉积在所述玻璃基板（3）上。
2.根据权利要求1所述在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，其特征在于：所述多孔透气膜（22）由一个卡钳（211）固定在坩锅（21）上。
3.根据权利要求1所述在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，其特征在于：所述出气通道（241）上设第二多孔透气膜（4）。
4.根据权利要求1所述在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，其特征在于：所述出气通道（241）的底端口至所述玻璃基板（3）之间的间距为10～30毫米。
5.根据权利要求1所述在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，其特征在于：本装置还包括一滚轮式传送装置（5），所述玻璃基板（3）摆放于该滚轮式传送装置（5）上，由滚轮式传送装置（5）水平传送。
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