[实用新型]半导体测试结构

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

行间距设定为第一预定距离、列间距设定为第二预定距离的2行2N+1列规则排布的第一多晶硅，相邻的四个所述第一多晶硅的相近的顶点围绕形成2N列的连接区域；

N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上层，第n列所述第二多晶硅连接第2n-1列与第2n列的所述连接区域；

2N列连接塞，所述连接塞位于所述第二多晶硅的上层，位于所述连接区域相对的区域；

N-1列第一金属，所述第一金属位于所述连接塞的上层，第n列所述第一金属连接第2n列与第2n+1列的所述连接塞；

其中，n＝1，2，……，N。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还可以形成2M行2N+1列所述第一多晶硅，第2m-1行与第2m行的所述第一多晶硅形成有所述第二多晶硅、所述连接塞以及所述第一金属，第m行所述连接塞与第m+1行所述连接塞的相同顶端的所述连接塞通过第二金属相连，M行2N列的所述连接塞连接形成蛇形结构，其中，m＝1，2，……，M。

3.如权利要求1或2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构首尾两端的所述连接塞分别通过第三金属连接第一焊垫和第二焊垫。

4.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二多晶硅表面形成有一钴硅合金层。

5.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一预定距离为0.13μm-0.19μm。

6.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二预定距离为0.10μm-0.12μm。

7.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述连接塞的侧壁与所述第二多晶硅的临近的一侧壁之间的距离小于等于0.04μm。

8.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述连接塞的横截面积小于0.16μm²。

9.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一多晶硅的厚度为。

10.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二多晶硅的厚度为。