[发明专利]CIGS膜以及使用其的CIGS太阳能电池有效
| 申请号： | 201480008053.6 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104981890B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 寺地诚喜;西井洸人;渡边太一;山本祐辅;河村和典;峯元高志;贾卡潘·柴塔那 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cigs 以及 使用 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种CIGS膜，其特征在于，其用作CIGS太阳能电池的光吸收层，且具有：第1区域，随着从其背面至规定的厚度为止变厚下述(A)Ga/(In+Ga)比逐渐减少；以及第2区域，位于该第1区域上，所述Ga/(In+Ga)比向着表面侧逐渐增加；其中，从所述第2区域上至表面为止，形成有向着表面所述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域，
所述第2区域的Ga/(In+Ga)比的最大峰值在0.3～0.6的范围内，所述第3区域的Ga/(In+Ga)比的、从所述最大峰值起到所述表面的值的减少值在0.02～0.3的范围内，
将所述Ga/(In+Ga)比定义为镓(Ga)的原子数浓度相对于铟(In)的原子数浓度与该镓(Ga)的原子数浓度之和的比。
2.根据权利要求1所述的CIGS膜，其中，所述第3区域的厚度在30～200nm的范围内。
3.一种CIGS太阳能电池，其特征在于，其为依次层叠有基板、背面电极、光吸收层、缓冲层、以及透明导电膜的CIGS太阳能电池，其中，所述光吸收层为所述权利要求1或2所述的CIGS膜，该CIGS膜的背面为位于所述背面电极侧的面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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