[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括：

处理容器，其具有真空排气部，其用于在真空氛围下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理；

载置台，其设于所述处理容器内，用于载置基板；

升降轴，其以自下表面侧支承着所述载置台的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴穿过被设于所述处理容器的贯通口而与外部的升降机构相连接；

波纹管，其设于所述处理容器与所述升降机构之间并自侧方覆盖所述升降轴的周围；

盖构件，其以与所述升降轴的侧周面之间隔着间隙地包围该升降轴的方式配置，且以在所述间隙以外的部位阻止该盖构件的下方侧空间与该盖构件的上方侧空间之间的连通的方式在整周上安装于处理容器；以及

吹扫气体供给部，其向所述波纹管内供给吹扫气体，以便形成经由所述升降轴与所述盖构件之间的间隙自该波纹管向处理容器流动的气体的流动，

该成膜装置还包括筒状构件，该筒状构件配置在所述盖构件的外周面与波纹管的内周面之间且伸出到比所述盖构件的下端部靠下方侧的位置，

所述筒状构件以其外周面与波纹管的内周面之间形成间隙的方式配置，所述吹扫气体供给部自该筒状构件与波纹管之间的间隙内的上方位置向波纹管内供给吹扫气体。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

隔着所述间隙包围升降轴的盖构件的内周面的高度尺寸大于所述贯通口的内周面的高度尺寸。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

在所述盖构件上设有用于使包围所述升降轴的内周面的高度尺寸变大的套筒。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述载置台具有用于加热基板的加热部，在所述盖构件的上表面形成有用于使所述加热部与所述盖构件之间的距离变大的凹部，以便抑制由来自所述加热部的散热引起的盖构件的温度上升。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括：

包围构件，其以与位于进行所述成膜处理的位置的载置台的侧周面之间隔着间隙地包围该载置台的方式配置，该包围构件将所述处理容器的内部分成下部侧的空间和要供给所述反应气体的上部侧的处理空间；以及

真空排气部，其用于自所述处理空间侧对所述处理容器内进行真空排气，

在所述升降轴与盖构件之间的间隙流动的吹扫气体流入到所述下部侧的空间。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述处理容器具有顶板部，在该顶板部与所述载置台之间形成有用于使反应气体扩散而进行成膜处理的处理空间，该顶板部具有用于供给所述反应气体的气体供给孔，

所述升降机构借助所述升降轴使所述载置台在形成所述处理空间的处理位置与比所述处理位置靠下方侧的位置之间升降，

所述成膜装置包括：

第1清洁气体供给部，其用于向所述载置台的上表面侧供给清洁气体；以及

第2清洁气体供给部，其用于沿着所述升降轴向所述载置台的下表面侧供给清洁气体。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括控制部，该控制部输出控制信号，以便在使所述载置台下降到比所述处理位置靠下方侧的位置的状态下自所述第2清洁气体供给部供给清洁气体。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

并且，所述控制部输出控制信号，以便使所述载置台上升到处理位置并自所述第2清洁气体供给部供给清洁气体。

9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括上部侧非活性气体供给部，该上部侧非活性气体供给部用于向设于所述顶板部的气体供给孔供给非活性气体，

所述控制部输出控制信号，以便在自所述第2清洁气体供给部供给清洁气体的过程中自所述上部侧非活性气体供给部经由气体供给孔向所述处理容器内供给非活性气体。

10.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括控制部，该控制部输出控制信号，以便在使所述载置台下降到比所述处理位置靠下方侧的位置的状态下自所述第1清洁气体供给部供给清洁气体。