[发明专利]成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于抑制反应气体到达被设置在用于对基板进行成膜的处理容器的下部的波纹管的技术。

背景技术

作为在基板、例如半导体晶圆(以下称作“晶圆”)上进行成膜的方法，公知有被称作CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法、ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法、MLD(Multi Layer Deposition：多层沉积)法(以下，将原子层沉积法和多层沉积法统称作ALD法)等方法，在CVD法中，将晶圆配置在形成有真空气氛的处理容器内，使反应气体在晶圆的表面发生反应而使堆积物堆积，在ALD法、MLD中，一边向晶圆依次供给互相反应的多种反应气体并使这些气体吸附于晶圆的表面一边使堆积物堆积。

在用于实施这些成膜处理的成膜装置中的、将作为处理对象的晶圆一张张地载置在载置台上并对晶圆进行成膜处理的单片式的成膜装置中，存在一种根据操作内容(例如成膜处理、与外部的输送机构之间进行晶圆的交接)而使载置台的高度位置在上下方向上移动的成膜装置。此时，从防止处理容器内的落尘等观点考虑，有时将载置台的升降机构配置于处理容器的外部，载置台经由升降轴与升降机构相连接，该升降轴穿过被设于处理容器的贯通口而突出到处理容器的外部。并且，通过在贯通口的口缘部与升降机构之间设置伸缩自如的波纹管来保持处理容器的气密，从而将处理容器的内部维持在真空气氛。

在此，若预先使所述贯通口形成为具有例如比升降轴的直径大十几mm～几十mm左右的直径，则能够避免升降轴和处理容器主体等器件之间的接触而易于进行组装、维护。另一方面，当升降轴与贯通口之间的间隔变大时，反应气体会自处理容器进入到波纹管内而使反应生成物容易堆积在波纹管的内表面上。由于波纹管会随着其伸缩而发生变形，因此，此时，若反应生成物被剥下而产生微粒，则有可能成为晶圆的污染源。

对于这点，例如，在引用文献1中记载有一种包括基板保持台的成膜装置，该基板保持台以使作为成膜对象的被处理基板绕铅垂轴线转动自如和上下移动自如的方式保持被处理基板。该成膜装置成为利用波纹管等分隔壁将与基板保持台相连接的转动轴所上下移动的空间密闭的结构。然而，在该引用文献1中没有公开这样的分隔壁的具体结构：将基板保持台保持为转动自如和上下移动自如，且将处理容器内的空间和波纹管内的空间隔离。

专利文献1：日本特开2002－151489号公报：段落0100、图19

发明内容

发明要解决的问题

本发明是考虑到这样的情况而做出的，其目的在于，提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。

用于解决问题的方案

本发明提供一种成膜装置，其特征在于，该成膜装置包括：处理容器，其具有真空排气部，其用于在真空氛围下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理；载置台，其设于所述处理容器内，用于载置基板；升降轴，其以自下表面侧支承着所述载置台的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴穿过被设于所述处理容器的贯通口而与外部的升降机构相连接；波纹管，其设于所述处理容器与所述升降机构之间并自侧方覆盖所述升降轴的周围；盖构件，其以与所述升降轴的侧周面之间隔着间隙地包围该升降轴的方式配置，且以在所述间隙以外的部位阻止所述该盖构件的下方侧空间与该盖构件的上方侧空间之间的连通的方式在整周上安装于处理容器；以及吹扫气体供给部，其向所述波纹管内供给吹扫气体，以便形成经由所述升降轴与所述盖构件之间的间隙自该波纹管向处理容器流动的气体的流动。

所述成膜装置也可以具有下述结构。

(a)隔着所述间隙包围升降轴的盖构件的内周面的高度尺寸大于所述贯通口的内周面的高度尺寸。

(b)在所述盖构件上设有用于使包围所述升降轴的内周面的高度尺寸变大的套筒。

(c)所述载置台具有用于加热基板的加热部，在所述盖构件的上表面形成有用于使所述加热部与所述盖构件之间的距离变大的凹部，以便抑制由来自所述加热部的散热引起的盖构件的温度上升。

(d)该成膜装置包括筒状构件，该筒状构件配置在所述盖构件的外周面与波纹管的内周面之间且伸出到比所述盖构件的下端部靠下方侧的位置。所述筒状构件以其外周面与波纹管的内周面之间形成间隙的方式配置，所述吹扫气体供给部自该筒状构件与波纹管之间的间隙内的上方位置向波纹管内供给吹扫气体。